MX66U2G45GXRJ00

MX66U2G45G 1.8V, 2G-BIT [x 1/x 2/x 4]CMOS MXSMIO (SERIAL MULTI I/O)FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX66U2G45GXRJ00芯片特点：

翻译为中文（简体）

1. 产品特性

通用特性

支持串行外设接口 —— 模式 0 与模式 3

单电源供电运行

读取、擦除及编程操作电压范围：1.7~2.0 伏

协议支持

单路输入输出、双路输入输出及四路输入输出协议

闩锁保护：在 - 1 伏至电源电压 + 1 伏电压范围内，可承受 100 毫安电流冲击

串行外设接口模式下的快速读取功能

支持最高 166 兆赫兹的时钟频率

支持快速读取、2 线读取、双线读取、4 线读取、四路读取指令

支持双倍传输速率模式

快速读取操作的虚拟周期数可配置

支持性能增强模式 —— 片上执行模式

支持四路外设接口模式

存储架构支持多种规格：每扇区 4KB 字节，或每块 32KB 字节，或每块 64KB 字节

任意存储块均可独立擦除

编程特性

配备 256 字节的页缓冲器

支持四路输入输出页编程指令，提升编程性能

典型擦除 / 编程循环次数：10 万次

数据保存寿命：20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节指令编码

高级安全特性

块锁定保护功能

BP0~BP3 及 T/B 状态位可定义受保护区域的大小，防止该区域被执行编程与擦除指令

高级扇区保护功能

额外 8K 位一次性可编程安全存储区

具备唯一标识符功能

出厂锁定状态可识别，且支持客户自行锁定；支持指令复位功能

支持编程 / 擦除暂停与恢复操作

电子身份识别功能

遵循联合电子器件工程委员会标准：1 字节制造商识别码 + 2 字节器件识别码

支持读取电子签名指令，可读取 1 字节器件识别码

支持读取制造商与器件识别码指令，可读取 1 字节制造商识别码 + 1 字节器件识别码

支持串行闪存可发现参数模式

硬件特性

串行时钟输入引脚

串行时钟信号输入端口

串行输入 / 串行输入输出 0 引脚

串行数据输入端口；在双线输入输出读取模式、四路输入输出读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端口

串行输出 / 串行输入输出 1 引脚

串行数据输出端口；在双线输入输出读取模式、四路输入输出读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端口

硬件写保护 / 串行输入输出 2 引脚

硬件写保护功能端口；在四路输入输出读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端口

空引脚 / 串行输入输出 3 引脚

无连接；在四路输入输出读取模式下，作为串行数据输入 / 输出端口

硬件复位引脚

硬件复位信号输入端口

封装规格

24-Ball BGA (5x5 ball array)

全系列产品均符合有害物质限制指令要求，且为无卤产品

MX66U2G45GXRJ00芯片概述：

MX66U2G45G 是一款容量为 2Gb 的串行 NOR 闪存存储器，其内部存储架构默认配置为 268,435,456 × 8 位。当工作于双线或四线输入输出模式时，存储架构将分别切换为 1,073,741,824 位 × 2 位 或 536,870,912 位 × 4 位。该芯片集成串行外设接口及配套软件协议，在单输入输出模式下，仅需通过由时钟输入引脚（SCLK）、串行数据输入引脚（SI）和串行数据输出引脚（SO）构成的三线总线即可实现数据传输。芯片的串行访问操作由片选信号引脚（CS#）的输入电平控制使能。

在双线输入输出读取模式下，原有的 SI 引脚与 SO 引脚将切换为 SIO0 和 SIO1 引脚，承担地址 / 虚拟周期位输入以及数据输出的功能；在四线输入输出读取模式下，原有的 SI、SO、写保护引脚（WP#）和空引脚（NC）将分别切换为 SIO0、SIO1、SIO2 和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟周期位输入与数据输出。

MX66U2G45G 搭载的旺宏 MXSMIO™（串行多输入输出） 技术，支持对整片存储器执行连续读取操作。

当芯片接收到编程 / 擦除指令后，内置的自动编程 / 擦除算法将启动，完成对指定页或扇区 / 块地址的编程、擦除及校验操作。编程操作支持按字节、页（256 字节）或字为单位执行；擦除操作则支持按 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整片为单位执行。

为简化用户接口设计，芯片内置状态寄存器，用于实时反馈芯片工作状态。用户可发送状态读取指令，通过寄存器中的 “写操作进行中”（WIP）标志位，判断当前编程或擦除操作是否完成。

芯片内置高级安全保护特性，可强化数据防护与安全功能，具体详情请参见安全特性章节。

当芯片无操作执行且片选信号引脚（CS#）为高电平时，器件将自动进入待机模式。

MX66U2G45G 采用旺宏独有的存储单元技术，即使经历 10 万次编程 / 擦除循环，仍可保证存储数据的可靠性。

数据保护

在电源切换过程中，可能会出现一些系统级误触发信号，进而导致非预期的擦除或编程操作。本器件具备自我保护机制，可防止此类意外写入周期的发生。

上电过程中，状态机将自动复位至待机模式。此外，器件的控制寄存器架构设定了限制条件：只有在特定指令序列执行成功后，存储器内的数据内容才允许被修改。

下文列出多项保护特性，可避免系统在电源上电、掉电阶段，或受系统噪声干扰时产生意外写入周期：

有效指令长度校验：对指令长度进行校验，确保指令以字节为单位，且在字节边界上完成传输。

写使能（WREN）指令：在发送其他任何会修改数据的指令之前，必须先发送写使能指令，将写使能锁存位（WEL）置位。

深度掉电模式：进入深度掉电模式后，闪存器件将处于保护状态，此时除深度掉电解除指令（RDP）、读取电子签名指令（RES）、擦除 / 编程暂停指令、擦除 / 编程恢复指令及软复位指令外，其余所有写入类指令均被屏蔽。

高级安全特性：器件内置多种保护与安全功能，可防止数据因非预期写入或恶意访问而遭到破坏。