MX30LF1G28AD-TI

MX30LF1G28AD-TI芯片型号的主要功能：

3V、1G/2G/4G位NAND闪存MX30LFxG28AD

相关型号

MX30LF1G28AD

MX30LF2G28AD

MX30LF4G28AD

MX30LF1G28AD-TI产品型号描述：

MX30LFxG28AD是一个1Gb/2Gb/4Gb的SLC NAND闪存设备。其标准的NAND Flash功能和可靠的质量的典型市盈率周期60K（与主机ECC），这使其最适合嵌入式系统代码和数据存储。该产品系列需要每（512+32）B的8位ECC。MX30LFxG28AD通常以2176字节（1Gb/2Gb）和4352字节（4Gb）字节的页面形式访问，用于读取和程序操作。MX30LFxG28AD数组被组织成数千个块，它由64页（2048+128）字节组成1Gb/2Gb，或64页（4096+256）字节组成4Gb。每个页面都有一个额外的128字节（1Gb/2Gb）或256字节（4Gb），用于ECC和其他目的。该设备具有2176字节（1Gb/2Gb）的片上缓冲区和4352字节（4Gb）的片上缓冲区，用于数据加载和访问。MX30LFxG28AD的缓存读取操作使第一字节读取延迟为25us，连续读取为20ns，下一个连续页面的延迟时间将从tR缩短到tRCBSY。MX30LFxG28AD在所有操作模式（读取/程序/擦除）期间的功耗为30 mA，在待机模式下为50uA。

MX30LF1G28AD-TI产品型号特点：

特性

1G/2G/4G 位（Gb）单级单元（SLC）NAND 闪存

总线：x8（8 位总线）

页大小：

1Gb/2Gb 版本：（2048+128）字节

4Gb 版本：（4096+256）字节

块大小：

1Gb/2Gb 版本：（128K+8K）字节（注：1K=1024 字节）

4Gb 版本：（256K+16K）字节

平面大小：

1Gb 版本：每平面 1024 个块，共 1 个平面

2Gb/4Gb 版本：每平面 1024 个块，共 2 个平面

兼容 ONFI 1.0 标准（注：ONFI 为开放式 NAND 闪存接口，是行业通用的 NAND 闪存接口规范）

命令 / 地址 / 数据复用（注：命令、地址与数据通过同一接口传输，节省引脚资源）

用户冗余区

1Gb/2Gb 版本：每页附加 128 字节

4Gb 版本：每页附加 256 字节

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

・连续读取：20 纳秒（ns）每字节

支持缓存读取（Cache Read）

页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）

支持缓存编程（Cache Program）

块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms）

单电压供电

供电电压（VCC）：2.7-3.6 伏特（V）

低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

待机模式

待机电流：最大 50 微安（μA）

硬件数据保护：配备写保护（WP#）引脚

出厂时，块 #0-7 已通过 ECC 校验并有效

块保护功能

保护（PT）引脚：上电时高电平有效，可保护整个芯片。该引脚内部设有弱下拉电阻

临时保护 / 解除保护功能（通过 PT 引脚启用）

永久保护功能（通过 PT 引脚启用）

器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚

状态寄存器

片选无关

简化系统接口

支持唯一 ID 读取（符合 ONFI 标准），具有类 PUF（物理不可克隆功能）的编码结构

支持安全一次性编程（OTP）

高可靠性

随机化器（默认禁用）：可通过设置特性启用

用于数据恢复的特殊读取功能：可通过设置特性启用

耐用性：典型值 6 万次编程 / 擦除循环（需配合每（512+32）字节 8 位的 ECC 纠错功能使用）

数据保留期：10 年

宽温工作范围：-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。