MX30LF1G28AD-TI

产品型号：MX30LF1G28AD-TI

制造商：MXIC（旺宏电子）

价格：￥6.68

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1Gbit

电压-电源：2.7V~3.6V

规格封装：63-VFBGA 48-TSOP

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其他介绍

MX30LF1G28AD-TI芯片型号的主要功能：

3V、1G/2G/4G位NAND闪存MX30LFxG28AD

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MX30LF1G28AD-TI产品型号描述：

MX30LFxG28AD是一个1Gb/2Gb/4Gb的SLC NAND闪存设备。其标准的NAND Flash功能和可靠的质量的典型市盈率周期60K（与主机ECC），这使其最适合嵌入式系统代码和数据存储。该产品系列需要每（512+32）B的8位ECC。MX30LFxG28AD通常以2176字节（1Gb/2Gb）和4352字节（4Gb）字节的页面形式访问，用于读取和程序操作。MX30LFxG28AD数组被组织成数千个块，它由64页（2048+128）字节组成1Gb/2Gb，或64页（4096+256）字节组成4Gb。每个页面都有一个额外的128字节（1Gb/2Gb）或256字节（4Gb），用于ECC和其他目的。该设备具有2176字节（1Gb/2Gb）的片上缓冲区和4352字节（4Gb）的片上缓冲区，用于数据加载和访问。MX30LFxG28AD的缓存读取操作使第一字节读取延迟为25us，连续读取为20ns，下一个连续页面的延迟时间将从tR缩短到tRCBSY。MX30LFxG28AD在所有操作模式（读取/程序/擦除）期间的功耗为30 mA，在待机模式下为50uA。

MX30LF1G28AD-TI产品型号特点：

功能1G/2G/4G位SLC NAND闪存总线： x8页大小：（2048+128）字节1Gb/2Gb（4096+256）字节4Gb块大小：（128K+8K）字节1字节/2Gb（256K+16K）字节，平面大小：1024块/平面x11Gb1024块/平面x22Gb/4Gb符合ONFI 1.0的多路命令/地址/数据用户冗余-128字节附加到每个页面1Gb/2Gb-256字节附加到每个页面4Gb快速读访问-数组注册延迟： 25us -顺序读： 20ns缓存读支持页面程序操作-页面程序时间： 320us（类型）•缓存程序支持块擦除操作-块擦除时间：4 ms（类型。）•单电压操作：- VCC：2.7 - 3.6V低功耗-最大。30 mA有功电流（读取/程序/擦除）备用模式-50uA（最大）备用电流硬件数据保护：WP#引脚块#0-7对ECC有效，运输块保护-PT（保护）引脚：通电时激活高，保护整个芯片。销有一个内部弱拉下。-临时保护/非保护功能（PT针脚启用）-固体保护（PT针脚启用）设备状态指示器-就绪/繁忙（R/B#）针脚状态寄存器芯片启用不小心-简化系统接口独特的ID读取（ONFI）与类似的代码结构安全OTP支持高可靠性-随机化（默认禁用）：启用设置功能-特殊读取数据恢复：启用设置功能-耐力：典型的60K循环（8位ECC每（512+32）字节）-数据保留： 10年注意宽温度工作范围-40.C到+85.C1) VFBGA所有包装设备均符合RoHS和无卤素包装1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

MX30LF1G28AD-TI

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