MX29GL640EBXEI-90G

MX29GL640E T/B, MX29GL640E H/L DATASHEET

MXIC(旺宏电子)MX29GL640EBXEI-90G 3V Parallel NOR Flash芯片型号介绍：

一、通用特性

・电源操作

读取、擦除和编程操作的电压范围：2.7-3.6 伏

I/O 电压（V_I/O）必须与电源电压（VCC）保持一致

输入 / 输出电压 = 电源电压 = 2.7 伏～3.6 伏

・字节 / 字模式可切换

8,388,608×8 位 / 4,194,304×16 位（注：此处为存储容量规格，8 位对应字节模式，16 位对应字模式）

・扇区架构

MX29GL640E T/B 型号：127 个 32K 字（64KB）扇区 + 8 个 4K 字（8KB）引导扇区

MX29GL640E H/L 型号：128 个 32K 字（64KB）统一扇区

・16 字节 / 8 字页读缓冲区・32 字节 / 16 字写缓冲区

・额外 128 字安全扇区

具备出厂锁定及可识别功能，且用户可锁定

・高级扇区保护功能（固定保护与密码保护）・闩锁保护：在 - 1 伏至 1.5 倍电源电压（1.5×VCC）范围内，可承受 100 毫安电流・低电源电压写禁止：当电源电压（VCC）≤低电压锁定值（VLKO）时，禁止写操作・深度掉电模式

二、性能特性

・高性能

快速访问时间：70 纳秒（ns）

页访问时间：25 纳秒（ns）

快速编程时间：10 微秒（μs）/ 字

快速擦除时间：0.5 秒（s）/ 扇区（典型值）

・低功耗

低活动读取电流：在 5 兆赫兹（MHz）频率下，典型值为 10 毫安（mA）

低待机电流：典型值为 20 微安（μA）

・典型擦除 / 编程周期：10 万次・数据保留时间：20 年

三、软件特性

・编程 / 擦除挂起与编程 / 擦除恢复

挂起扇区擦除操作，可从未被擦除的其他扇区读取数据或向其编程数据

挂起扇区编程操作，可从未被编程的其他扇区读取数据

・状态反馈

数据轮询（Data# Polling）和触发位（Toggle bits）可用于检测编程与擦除操作的完成状态

・支持通用闪存接口（CFI，Common Flash Interface）

四、硬件特性

・就绪 / 忙（RY/BY#）输出

提供硬件检测方式，用于判断编程与擦除操作是否完成

・硬件复位（RESET#）输入

提供硬件复位方式，可将内部状态机复位至读取模式

・写保护 / 加速（WP#/ACC）输入引脚

兼具硬件写保护功能与加速编程功能

MX29GL640E T/B 型号：当 WP#/ACC 引脚为低电平（Vil）时，保护顶部或底部两个扇区

MX29GL640E H/L 型号：当 WP#/ACC 引脚为低电平（Vil）时，保护第一个或最后一个扇区

（注：文中 “#” 符号表示该信号为低电平有效；“Vil” 为电路术语，指输入低电平电压；型号中的 T/B、H/L 分别代表不同的引脚配置或功能版本，常见于闪存芯片规格描述中。）

封装形式（PACKAGE）

• MX29GL640E T/B

- 48-pin TSOP

- 48-ball LFBGA (6x8mm)

• MX29GL640E H/L

- 48-pin TSOP

- 56-pin TSOP

- 64-ball LFBGA (11x13mm)

所有封装产品均符合《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。