MX60UF8G18AC-XKI

1.8V, 8G-bit NAND Flash Memory MX60UF8G18AC

MXIC(旺宏电子)MX60UF8G18AC-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片型号介绍：

1. 特性

・8Gb（千兆位）SLC NAND 闪存

由两颗 4Gb 裸片堆叠而成

总线宽度：x8

页大小：(2048+64) 字节

块大小：(128K+4K) 字节

平面大小：每颗裸片含 2 个平面，每个平面 2048 个块

・兼容 ONFI 1.0 标准（ONFI：开放式 NAND 闪存接口，Open NAND Flash Interface）

・命令 / 地址 / 数据复用（即命令、地址与数据通过同一总线传输）

・用户冗余区

每一页附加 64 字节空间（用于错误检查与纠正、坏块标记等）

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

连续读取速度：25 纳秒（ns）每字节

・支持缓存读取（Cache Read）

・页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）

・支持缓存编程（Cache Program）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 1 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：1.7~1.95 伏（V）

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除模式）最大值：30 毫安（mA）

・休眠模式

待机电流最大值：100 微安（μA）

・硬件数据保护：写保护（WP#）引脚

・器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚

状态寄存器

・片选无关（Chip Enable Don't Care）

简化系统接口设计

・支持读取唯一标识符（符合 ONFI 标准）

・支持安全一次性可编程（Secure OTP）功能

・电子签名（5 个周期）

・高可靠性

耐用性：典型值 10 万次编程 / 擦除（P/E）周期（每 (512+16) 字节数据配备 4 位错误检查与纠正（ECC）的情况下）

数据保留期：10 年

宽温工作范围：-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX60UF8G18AC-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片介绍：

MX60UF8G18AC 是一款容量为 8Gb（千兆位）的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。该器件具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有可靠的质量 —— 典型编程 / 擦除（P/E）周期可达 10 万次（含 ECC 纠错功能），因此非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储。

该产品系列要求每（512+16）字节数据配备 4 位 ECC（错误检查与纠正）。

在读取和编程操作中，访问 MX60UF8G18AC 时通常以 2112 字节为一个页（Page）单位。

MX60UF8G18AC 的存储阵列由数千个块（Block）构成，每个块由 64 个（2048+64）字节的页组成，采用双 NAND 串结构，且每个串内包含 32 个串联连接的存储单元。每个页额外包含 64 字节空间，用于 ECC 纠错及其他用途。该器件内置一个 2112 字节的片上缓冲区，用于数据加载与访问。

MX60UF8G18AC 的缓存读取（Cache Read）操作支持首字节读取访问延迟低至 25 微秒（μs），连续读取速度可达 25 纳秒（ns）每字节；且后续连续页的读取延迟会从常规读取延迟（tR）缩短至缓存忙状态延迟（tRCBSY）。

MX60UF8G18AC 在所有工作模式（读取 / 编程 / 擦除）下的功耗均为 30 毫安（mA），在待机模式下的功耗则为 100 微安（μA）。