MX60UF8G28AD-TI

1.8V, 8G-bit NAND Flash Memory MX60UF8G28AD

MXIC(旺宏电子)MX60UF8G28AD-TI 单级单元 NAND 闪存芯片型号介绍：

1. 特性

・8Gb（吉比特）容量 SLC（单级单元）NAND 闪存

由两颗 4Gb（吉比特）裸片堆叠而成

总线宽度：x8

页大小：（4096+256）字节

块大小：（256K+16K）字节（注：256K 字节 = 262144 字节，16K 字节 = 16384 字节）

平面大小：每颗裸片含 2 个平面，每个平面 1024 个块

・兼容 ONFI 1.0 标准（注：ONFI 为开放式 NAND 闪存接口规范，用于统一 NAND 闪存的接口协议）

・命令 / 地址 / 数据多路复用（注：即通过同一接口线传输命令、地址和数据，节省引脚资源）

・用户冗余区

每页附加 256 字节（用于差错校验、坏块标记等）

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

连续读取速度：25 纳秒（ns）/ 字节

・支持缓存读取（Cache Read）

・页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）

・支持缓存编程（Cache Program）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：1.7~1.95 伏（V）

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

・待机模式

待机电流：最大 100 微安（μA）

・硬件数据保护：写保护（WP#）引脚（注：# 表示低电平有效，该引脚可禁止写入操作以保护数据）

・出厂时块 0-7 已通过差错校验（ECC）验证并可正常使用

・器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚（注：用于指示器件是否处于可操作状态）

状态寄存器（注：通过读取寄存器可获取器件详细工作状态）

・片选信号无关（Chip Enable Don't Care）

简化系统接口设计（注：无需精确控制片选信号即可维持正常接口通信）

・支持符合 ONFI 标准的唯一 ID 读取，且 ID 采用类物理不可克隆功能（PUF-like）的编码结构（注：PUF 技术可生成器件独有的、难以复制的标识，提升安全性）

・支持安全一次性可编程（OTP）功能（注：OTP 区域数据写入后不可修改，适用于存储密钥、设备标识等敏感信息）

・高可靠性

随机数发生器（默认禁用）：可通过 “设置特性”（Set Feature）命令启用（注：用于数据加密、随机地址生成等场景，提升数据安全性）

用于数据恢复的特殊读取功能：可通过 “设置特性”（Set Feature）命令启用（注：当常规读取失败时，可通过该功能尝试恢复数据）

耐用性：典型值 60K（6 万）次编程 / 擦除循环（需配合每（512+32）字节 8 位的差错校验（ECC）使用）

数据保留期：10 年（注：指在规定条件下，器件存储的数据可保持有效且无错误的时间）

・宽温度工作范围

数据保留期：10 年

宽温工作范围：-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX60UF8G28AD-TI 单级单元 NAND 闪存芯片介绍：

MX60UF8G28AD 是一款容量为 8Gb（吉比特）的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。该器件具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有可靠的质量 —— 典型编程 / 擦除（P/E）循环次数可达 60K（6 万次，需配合主机端差错校验（ECC）功能），因此非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储场景。

该产品系列要求每（512 + 32）字节的数据需搭配 8 位的 ECC（差错校验码）。

在读取和编程操作中，MX60UF8G28AD 通常以 4352 字节的 “页” 为单位进行访问。

MX60UF8G28AD 的存储阵列由数千个 “块” 构成，每个块包含 64 个 “页”，单个页的容量为（4096 + 256）字节。其中，每个页额外包含 256 字节的空间，用于 ECC 校验及其他用途。该器件内置一个 4352 字节的片上缓冲区，供数据加载与访问使用。

MX60UF8G28AD 的缓存读取（Cache Read）操作具有以下性能：首字节读取访问延迟为 25 微秒（μs），连续读取速度为 25 纳秒（ns）/ 字节；且后续连续页的读取延迟会从常规读取延迟（tR）缩短至缓存忙状态延迟（tRCBSY）。

MX60UF8G28AD 的功耗特性如下：在所有操作模式（读取 / 编程 / 擦除）下，功耗为 30 毫安（mA）；在待机模式下，功耗为 100 微安（μA）。