MX30LF4G28AD-XKI

3V, 1G/2G/4G-bit NAND Flash Memory MX30LFxG28AD

MXIC(旺宏电子)MX30LF4G28AD-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片型号介绍：

特性

1G/2G/4G 位（Gb）单级单元（SLC）NAND 闪存

总线：x8（8 位总线）

页大小：

1Gb/2Gb 版本：（2048+128）字节

4Gb 版本：（4096+256）字节

块大小：

1Gb/2Gb 版本：（128K+8K）字节（注：1K=1024 字节）

4Gb 版本：（256K+16K）字节

平面大小：

1Gb 版本：每平面 1024 个块，共 1 个平面

2Gb/4Gb 版本：每平面 1024 个块，共 2 个平面

兼容 ONFI 1.0 标准（注：ONFI 为开放式 NAND 闪存接口，是行业通用的 NAND 闪存接口规范）

命令 / 地址 / 数据复用（注：命令、地址与数据通过同一接口传输，节省引脚资源）

用户冗余区

1Gb/2Gb 版本：每页附加 128 字节

4Gb 版本：每页附加 256 字节

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

・连续读取：20 纳秒（ns）每字节

支持缓存读取（Cache Read）

页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）

支持缓存编程（Cache Program）

块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms）

单电压供电

供电电压（VCC）：2.7-3.6 伏特（V）

低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

待机模式

待机电流：最大 50 微安（μA）

硬件数据保护：配备写保护（WP#）引脚

出厂时，块 #0-7 已通过 ECC 校验并有效

块保护功能

保护（PT）引脚：上电时高电平有效，可保护整个芯片。该引脚内部设有弱下拉电阻

临时保护 / 解除保护功能（通过 PT 引脚启用）

永久保护功能（通过 PT 引脚启用）

器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚

状态寄存器

片选无关

简化系统接口

支持唯一 ID 读取（符合 ONFI 标准），具有类 PUF（物理不可克隆功能）的编码结构

支持安全一次性编程（OTP）

高可靠性

随机化器（默认禁用）：可通过设置特性启用

用于数据恢复的特殊读取功能：可通过设置特性启用

耐用性：典型值 6 万次编程 / 擦除循环（需配合每（512+32）字节 8 位的 ECC 纠错功能使用）

数据保留期：10 年

宽温工作范围：-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX30LF4G28AD-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片介绍：

MX30LFxG28AD 是一款容量为 1Gb（千兆位）/2Gb/4Gb 的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。该器件具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有可靠品质 —— 配合主机端 ECC（纠错码）功能使用时，典型编程 / 擦除（P/E）循环次数可达 60K 次，因此非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储场景。

该产品系列要求每（512+32）字节的数据对应 8 位 ECC（纠错码）。

在读取和编程操作中，MX30LFxG28AD 通常以不同大小的页为单位进行访问：1Gb/2Gb 容量版本的页大小为 2176 字节，4Gb 容量版本的页大小为 4352 字节。

MX30LFxG28AD 的存储阵列由数千个块（block）构成，不同容量版本的块结构存在差异：

1Gb/2Gb 容量版本：每个块由 64 个（2048+128）字节的页组成

4Gb 容量版本：每个块由 64 个（4096+256）字节的页组成

每个页均包含额外字节空间，用于 ECC 纠错及其他用途：1Gb/2Gb 容量版本额外提供 128 字节，4Gb 容量版本额外提供 256 字节。此外，该器件内置缓冲器（on-chip buffer），缓冲器容量与页大小匹配 ——1Gb/2Gb 容量版本为 2176 字节，4Gb 容量版本为 4352 字节，用于数据加载与访问。

MX30LFxG28AD 的缓存读取（Cache Read）操作支持以下性能：首字节读取访问延迟为 25 微秒（μs），连续读取速度为 20 纳秒（ns）每字节；且后续连续页的读取延迟会从 tR（标准读取延迟）缩短至 tRCBSY（缓存连续读取延迟）。

在所有工作模式（读取 / 编程 / 擦除）下，MX30LFxG28AD 的功耗为 30 毫安（mA）；在待机模式下，功耗则为 50 微安（μA）。