MX60LF8G18AC-TI

3V, 8G-bit NAND Flash Memory MX60LF8G18AC

MXIC(旺宏电子)MX60LF8G18AC-TI 单级单元 NAND 闪存芯片型号介绍：

特性

8Gb（千兆位）SLC NAND 闪存

由两颗 4Gb 芯片堆叠而成

总线：x8（8 位总线）

页大小：（2048+64）字节

块大小：（128K+4K）字节（注：1K=1024 字节）

平面大小：每颗芯片包含 2 个平面，每个平面 2048 个块

兼容 ONFI 1.0 标准（注：ONFI 即开放式 NAND 闪存接口，是行业通用的 NAND 闪存接口规范）

命令 / 地址 / 数据复用（注：指命令、地址与数据通过同一接口传输，节省引脚资源）

用户冗余区

每一页附加 64 字节空间（用于纠错、校验等）

快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

连续读取速度：20 纳秒（ns）每字节

支持缓存读取（Cache Read）

・页编程操作

页编程时间：典型值 300 微秒（μs）

支持缓存编程（Cache Program）

块擦除操作

块擦除时间：典型值 1 毫秒（ms）

单电压供电

供电电压（VCC）：2.7-3.6 伏特（V）

低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除）：最大 30 毫安（mA）

休眠模式

待机电流：最大 100 微安（μA）

硬件数据保护：配备写保护（WP#）引脚

器件状态指示

－ 就绪 / 忙（R/B#）引脚

－ 状态寄存器

片选无关

－ 简化系统接口

支持唯一 ID 读取

支持安全一次性编程（OTP）

电子签名（5 周期）

高可靠性

－ 耐用性：典型值 10 万次编程 / 擦除（P/E）循环（需配合每（512+16）字节 4 位的 ECC 纠错功能使用）

－ 数据保留期：10 年

宽温度工作范围：-40°C 至 + 85°C（注：属于工业级温度范围，适用于高低温波动较大的工业环境或户外设备）

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX60LF8G18AC-TI 单级单元 NAND 闪存芯片介绍：

MX60LF8G18AC 是一款容量为 8Gb（千兆位）的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。该器件具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有可靠的品质 —— 典型编程 / 擦除（P/E）循环次数可达 10K 次（配合 ECC 纠错功能使用），因此非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储场景。

该产品系列要求每（512+16）字节的数据对应 4 位 ECC（纠错码）。

在读取和编程操作中，MX60LF8G18AC 通常以 2112 字节的页为单位进行访问。

MX60LF8G18AC 的存储阵列由数千个块（block）构成，每个块由 64 个（2048+64）字节的页组成；这些页采用双 NAND 串结构，每个串中包含 32 个串联连接的存储单元。每个页额外包含 64 字节空间，用于 ECC 纠错及其他用途。此外，该器件内置一个 2112 字节的缓冲器（on-chip buffer），用于数据加载与访问。

MX60LF8G18AC 的缓存读取（Cache Read）操作支持以下性能：首字节读取访问延迟为 25 微秒（μs），连续读取速度为 20 纳秒（ns）每字节；且后续连续页的读取延迟会从 tR（标准读取延迟）缩短至 tRCBSY（缓存连续读取延迟）。

在所有工作模式（读取 / 编程 / 擦除）下，MX60LF8G18AC 的功耗为 30 毫安（mA）；在待机模式下，功耗则为 100 微安（μA）。