MX60LF8G28AD-XKI

3V, 8G-bit NAND Flash Memory MX60LF8G28AD

MXIC(旺宏电子)MX60LF8G28AD-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片型号介绍：

1. 特性（FEATURES）

・8Gb（吉比特）容量 SLC（单级单元）NAND 闪存

由两颗 4Gb（吉比特）芯片堆叠而成

总线宽度：x8（8 位）

页大小：（4096 + 256）字节

块大小：（256K + 16K）字节（注：K 代表千字节，256K 即 256×1024 字节）

平面大小：每颗芯片包含 2 个平面，每个平面含 1024 个块

・兼容 ONFI 1.0 标准（注：ONFI 为 Open NAND Flash Interface 的缩写，即开放式 NAND 闪存接口，是规范 NAND 闪存与主机通信的行业标准）

・命令 / 地址 / 数据复用（注：指命令、地址和数据通过同一组引脚传输，可节省引脚数量）

・用户冗余区

每页附加 256 字节（用于差错校验码 ECC、坏块标记等用户自定义用途）

・快速读取访问

存储阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）

连续读取速度：20 纳秒（ns）每字节

・支持缓存读取（Cache Read）

・页编程操作

页编程时间：典型值 320 微秒（μs）（注：“typ.” 为 typical 的缩写，指典型工况下的参数值）

・支持缓存编程（Cache Program）

・块擦除操作

块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms）

・单电压供电

供电电压（VCC）：2.7 - 3.6 伏特（V）

・低功耗

工作电流（读取 / 编程 / 擦除模式）：最大值 30 毫安（mA）

・待机模式

待机电流：最大值 100 微安（μA）

・硬件数据保护：写保护（WP#）引脚・出厂时第 0-7 块为带差错校验码（ECC）的有效块・器件状态指示

就绪 / 忙（R/B#）引脚

状态寄存器

・片选允许无关（Chip Enable Don't Care）

简化系统接口

・支持唯一标识符读取（符合 ONFI 标准），具备类物理不可克隆功能（PUF-like）的编码结构

・支持安全一次性可编程（Secure OTP）

・高可靠性

随机数发生器（默认禁用）：可通过 “设置特性（Set Feature）” 命令启用

用于数据恢复的特殊读取功能：可通过 “设置特性（Set Feature）” 命令启用

耐久性：典型值 60000 次循环（每（512+32）字节需配合 8 位差错校验码（ECC））

数据保留期：10 年（注：具体需参考产品详细规格书）

・宽温度工作范围

-40°C 至 + 85°C

封装形式（PACKAGE）

1) 48-TSOP(I) (12mm x 20mm)

2) 63-ball 9mmx11mm VFBGA

所有封装器件均符合欧盟《关于限制在电子电气设备中使用某些有害成分的指令》（RoHS）要求，且不含卤素。

MX60LF8G28AD-XKI 单级单元 NAND 闪存芯片介绍：

MX60LF8G28AD 是一款容量为 8Gb（吉比特）的 SLC（单级单元）NAND 闪存器件。它具备标准的 NAND 闪存特性，且拥有可靠的质量 —— 典型编程 / 擦除（P/E）循环次数可达 60K（需配合主机端差错校验码，即 ECC），这一特性使其非常适合用于嵌入式系统的代码存储与数据存储场景。

该产品系列要求每（512 + 32）字节的数据对应 8 位的 ECC（差错校验码）。

在读取和编程操作中，访问 MX60LF8G28AD 时的典型单位为页，每页大小为 4352 字节。

MX60LF8G28AD 的存储阵列由数千个块（Block）构成，每个块包含 64 个页，每页规格为（4096 + 256）字节。其中，每页额外的 256 字节可用于 ECC 校验及其他用途。该器件内置一个 4352 字节的片上缓冲区（On-Chip Buffer），用于数据加载与访问。

MX60LF8G28AD 的缓存读取操作（Cache Read Operation）支持首字节读取访问延迟低至 25 微秒（μs），连续读取速度可达 20 纳秒（ns）每字节；且后续连续页的读取延迟会从常规读取延迟（tR）缩短至缓存忙状态读取延迟（tRCBSY）。

MX60LF8G28AD 在所有工作模式（读取 / 编程 / 擦除）下的功耗为 30 毫安（mA），在待机模式下的功耗则为 100 微安（μA）。

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