MX35LFxG24AD 3V, 1G-bit/2G-bit/4G-bit Serial NAND Flash Memory
MXIC(旺宏电子)MX35LF2G24AD-Z4I 串行接口 NAND 闪存芯片型号介绍：
1. 特性
1Gb/2Gb/4Gb 单级闪存（SLC NAND Flash）
总线：x4（4 位总线）
1Gb/2Gb 规格：
页大小：（2048+128）字节
块大小：（128K+8K）字节（注：1K=1024 字节）
4Gb 规格：
页大小：（4096+256）字节
块大小：（256K+16K）字节（注：1K=1024 字节）
列地址的平面选择位（Plane Select bit）要求说明
无需平面选择位的型号：
MX35LF1G24AD-Z4I、MX35LF2G (4G) 24AD-Z4I8
需平面选择位的型号：
MX35LF2G (4G) 24AD-Z4I
需支持每 544 字节 8 位纠错码（8-bit ECC/544B）
快速读取访问
支持 x1、x2 及 x4 模式的数据读取（原文 “x1 x2 & x4modes-,1--2,11-2-2,4) oe1” 存在格式偏差，按常规闪存读取模式修正）
阵列到寄存器的延迟：25 微秒（μs）
频率：120 兆赫兹（MHz）
页编程操作
页编程时间：典型值 320 微秒（μs，typ. 表示 “典型值”）
块擦除操作
块擦除时间：典型值 4 毫秒（ms，typ. 表示 “典型值”）
单电压供电操作：
供电电压（VCC）：2.7 至 3.6 伏特（V）
用于块组保护的 BP 位（Block Protection bits，块保护位）
采用 PUF（物理不可克隆功能）型编码结构的唯一 ID 读取功能
低功耗
最大 30 毫安（mA）
工作电流（读取 / 编程 / 擦除模式下）
休眠模式
待机电流最大 50 微安（μA）
高可靠性
随机数发生器（默认禁用）：可通过 “设置特性”（Set Feature）功能启用
用于数据恢复的特殊读取功能：可通过 “设置特性”（Set Feature）功能启用
编程 / 擦除耐久性：典型值 60,000 次循环（每（512+32）字节数据对应 8 位 ECC 纠错）
数据保留期：10 年
宽工作温度范围
-40°C 至 + 85°C
封装形式（PACKAGE）
Z4:8-WSON (8x6mm)
所有器件均符合 RoHS 标准（RoHs Compliant）且不含卤素（Halogen-free）
MX35LF2G24AD-Z4I 串行接口 NAND 闪存芯片介绍：
MX35LFxG24AD 是一款容量为 1Gb/2Gb/4Gb 的串行接口单级闪存（SLC NAND Flash）存储器件。
该器件的存储阵列采用与并行闪存（parallel NAND）相同的单元架构，同时配备了工业标准的串行接口。
此器件要求主机端的微控制器（micro controller）支持每 544 字节 8 位纠错码（8-bit ECC/544-byte）的操作。
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