MX25R6435FM2IH0

MX25R6435F ULTRA LOW POWER, 64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25R6435FM2IH0 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

一般特性（GENERAL）

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）—— 模式 0 和模式 3

67,108,864×1 位结构、33,554,432×2 位（双 I/O 模式）结构或 16,777,216×4 位（四 I/O 模式）结构

扇区均等，每个扇区 4KB；或块均等，每个块 32KB/64KB

任意块均可单独擦除

单电源供电

工作电压：读取、擦除及编程操作均为 1.65V-3.6V

具备闩锁保护功能，在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

性能特性（PERFORMANCE）

高性能

快速读取

1I/O：80MHz，需 8 个虚拟周期

2I/O：80MHz，需 4 个虚拟周期，等效频率 160MHz

4I/O：80MHz，需 2+4 个虚拟周期，等效频率 320MHz

快速编程与擦除时间

8/16/32/64 字节回绕突发读取模式

支持性能增强模式 ——XIP（片上执行，execute-in-place）

超低功耗

最少 10 万次擦除 / 编程循环

20 年数据保持期

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

输入数据格式

1 字节命令码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 状态位用于定义通过软件保护、以抵御编程和擦除指令的区域大小

额外 8K 位安全一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符功能

出厂时已锁定且可识别，客户可进一步锁定

自动擦除与自动编程算法

对选定的扇区或块，自动执行擦除操作并验证数据

通过内部算法对选定页自动执行编程并验证数据，该算法可自动控制编程脉冲宽度（注：待编程的任意页需先处于擦除状态）

状态寄存器功能

命令复位

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复

电子标识

符合 JEDEC 标准：1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

可通过 RES 命令读取 1 字节器件 ID

可通过 REMS 命令读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

● SCLK 输入（SCLK Input）

串行时钟输入（Serial clock input）

● SI/SIO0

串行数据输入（Serial Data Input）；或在双 I/O（2×I/O）读取模式、四 I/O（4×I/O）读取模式下作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

● SO/SIO1

串行数据输出（Serial Data Output）；或在双 I/O（2×I/O）读取模式、四 I/O（4×I/O）读取模式下作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

● WP#/SIO2

硬件写保护（Hardware write protection）；或在四 I/O（4×I/O）读取模式下作为串行数据输入 / 输出（serial data Input/Output）

● RESET#/SIO3＊ 或 HOLD#/SIO3 *

硬件复位引脚（Hardware Reset pin）；或在四 I/O（4×I/O）读取模式下作为串行输入输出（Serial input & Output）

或

保持（HOLD）功能：可暂停器件工作且无需取消选择器件（to pause the device without deselecting the device）；或在四 I/O（4×I/O）读取模式下作为串行输入输出（Serial input & Output）

取决于器件型号选项（Depends on part number options）

封装形式（PACKAGE）

M2: 8-SOP(200mil)

ZN: 8-WSON

ZA: 8-USON (4x4mm)

ZB:8-USON (4x3mm)

BD:22-Ball WLCSP(Height:0.52mm)

BF: 22-Ball WLCSP (Height:0.395mm)

所有器件均符合 RoHS 标准（RoHs Compliant）且不含卤素（Halogen-free）

MX25R6435FM2IH0 芯片介绍：

MX25R6435F 是一款容量为 64Mb（兆位）的串行 NOR 闪存，其内部结构配置为 8,388,608×8 位。当工作在四 I/O 模式时，该器件的结构会变为 16,777,216 位 ×4 或 33,554,432 位 ×2。MX25R6435F 具备串行外设接口（SPI）和专用软件协议，在单 I/O 模式下，仅需通过简单的三线总线即可实现操作。

这三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过 CS#（片选）输入信号，可使能对该器件的串行访问。

当器件工作在双 I/O 读取模式时，SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入及数据输出；当工作在四 I/O 读取模式时，SI 引脚、SO 引脚、WP#（写保护）引脚和 RESET#/HOLD#（复位 / 保持）引脚会分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入及数据输出。

MX25R6435F 搭载的 MXSMIO®（串行多 I/O）技术，支持对整个芯片进行连续读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件会自动执行编程 / 擦除算法 —— 该算法可对指定页或扇区 / 块地址完成编程 / 擦除操作，并进行数据验证。编程命令支持按字节、按页（256 字节）或按字（word）执行；擦除命令支持按扇区（4KB）、按块（32KB）、按块（64KB）或整片执行。

为方便用户进行接口操作，该器件内置状态寄存器，用于指示芯片当前状态。通过发送状态读取命令，可借助 WIP（写进行中）位检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性进一步强化了器件的保护与安全功能，详细信息请参考 “安全特性” 章节。