MX25U8035FZNI

MX25U8035F 1.8V,8M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25U8035FZNI 1.8V Serial NOR Flash芯片型号介绍：

概述（GENERAL）

支持串行外设接口（Serial Peripheral Interface）- 模式 0（Mode 0）与模式 3（Mode 3）

存储结构：16,777,216×1 位，或 8,388,608×2 位（双 I/O 模式），或 4,194,304×4 位（四 I/O 模式）

存储分区：均为 4KB 大小的扇区、均为 32KB 大小的块，或均为 64KB 大小的块

任意块均可单独擦除

单电源工作

工作电压：读取、擦除及编程操作均为 1.65V-2.0V

具备闩锁保护功能：在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内，可承受 100mA 电流

性能（PERFORMANCE）

高性能

快速读取

1I/O（单 I/O）：80MHz 时钟频率，搭配 8 个虚拟周期

2I/O（双 I/O）：80MHz 时钟频率，搭配 4 个虚拟周期，等效频率 160MHz

4I/O（四 I/O）：80MHz 时钟频率，搭配 2+4 个虚拟周期，等效频率 320MHz

快速编程与擦除速度

支持 8/16/32/64 字节回绕突发读取模式（Wrap-Around Burst Read Mode）

支持性能增强模式 —— 片上执行（XIP，execute-in-place）

低功耗

最少 100,000 次擦除 / 编程周期

20 年数据保留时间

软件特性（SOFTWARE FEATURES）

输入数据格式

1 字节命令码（Command code）

先进安全特性

块锁定保护（Block lock protection）

BPO-BP3 状态位用于定义受软件保护的区域大小，该区域可抵御编程与擦除指令的操作

额外 8K 位加密一次性可编程（OTP）存储区

具备唯一标识符（unique identifier）功能

出厂时已锁定可识别区域，用户可锁定自定义区域

自动擦除与自动编程算法（Auto Erase and Auto Program Algorithm）

可对选定扇区或块自动执行擦除并验证数据

通过内部算法对选定页面自动执行编程并验证数据，该算法会自动控制编程脉冲宽度的时序（待编程的任意页面需先处于擦除状态）

状态寄存器特性（Status Register Feature）

命令复位（Command Reset）

编程 / 擦除暂停与编程 / 擦除恢复（Program/Erase Suspend and Program/Erase Resume）

电子标识（Electronic Identification）

JEDEC 标准：1 字节厂商 ID（manufacturer ID）与 2 字节器件 ID（device ID）

RES 命令：用于读取 1 字节器件 ID

REMS 命令：用于读取 1 字节厂商 ID 与 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）模式

支持唯一标识符（Unique ID）（详情请联系旺宏电子（Macronix）当地销售人员）

硬件特性（HARDWARE FEATURES）

SCLK 输入（SCLK Input）：串行时钟输入

SI/SIO0：串行数据输入（Serial Data Input），或在 2 路 I/O 读取模式与 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

SO/SIO1：串行数据输出（Serial Data Output），或在 2 路 I/O 读取模式与 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

WP#/SIO2：硬件写保护（Hardware write protection），或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

HOLD#/SIO3：保持功能（HOLD feature）—— 无需取消器件选中状态即可暂停器件工作；或在 4 路 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出（Serial Data Input/Output）

封装形式（PACKAGE）

ZU:8-USON (2x3mm)

ZN: 8-WSON (6x5mm)

M1:8-SOP(150mil)

M2:8-SOP (200mil)

所有器件均符合 RoHS 标准（RoHs Compliant）且不含卤素（Halogen-free）

MX25U8035FZNI芯片产品概述

MX25U8035F 是一款 8 兆位（Mb）串行 NOR 闪存，内部配置为 1,048,576×8 位结构。在四 I/O 模式下，其结构可变为 2,097,152 位 ×4 或 4,194,304 位 ×2。

MX25U8035F 具备串行外设接口与软件协议，在单 I/O 模式下，可通过简单的三线总线实现操作。三条总线信号分别为：时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）。器件的串行访问需通过片选输入（CS#）使能。

在双 I/O 读取模式下，SI 引脚和 SO 引脚会分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出；在四 I/O 读取模式下，SI 引脚、SO 引脚、WP# 引脚（写保护引脚）和 HOLD# 引脚（保持引脚）会分别变为 SIO0 引脚、SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚，用于地址 / 虚拟位输入与数据输出。

MX25U8035F 的 MXSMIO®（串行多 I/O，Serial Multi I/O）功能支持对整个芯片进行连续读取操作。

当发送编程 / 擦除命令后，器件会执行自动编程 / 擦除算法，对指定页面或扇区 / 块地址完成编程 / 擦除及数据验证。其中，编程命令可按字节、按页（256 字节）或按字执行；擦除命令可按 4KB 扇区、32KB 块、64KB 块或整个芯片执行。

为方便用户进行接口操作，器件内置状态寄存器，用于指示芯片当前状态。通过发送状态读取命令，可借助忙标志位（WIP bit）检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了器件的保护与安全功能，详情请参见 “安全特性” 章节。

MX25U8035F 采用旺宏电子（Macronix）专有存储单元技术，即便经过 10 万次编程与擦除循环，仍能可靠保存存储内容。