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MX25L25673GM2I40A

MX25L25673GM2I40A
产品型号:MX25L25673GM2I40A
制造商:MXIC(旺宏电子)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :256Mbit
电压-电源:2.7V-3.6V
规格封装:8-SOP(200mil)
说明书:点击下载
其他介绍

MX25L25673G 3V, 256M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L25673GM2I40A Serial NOR Flash特性:

支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3 单电源供电运行

读取、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏

268,435,456×1 位结构

或 134,217,728×2 位(双 I/O 模式)结构

或 67,108,864×4 位(四 I/O 模式)结构

协议支持

单 I/O、双 I/O 和四 I/O

具有闩锁保护功能,在 - 1V 至 Vcc+1V 电压范围内可承受 100mA 电流

低 Vcc 写禁止电压范围为 1.5V 至 2.5V

SPI 模式下的快速读取

所有协议均支持高达 133MHz 的时钟频率

支持快速读取、2READ、DREAD、4READ、QREAD 指令

支持 DTR(双倍传输速率)模式

可配置快速读取操作的虚拟周期数

默认启用四 I/O(QE 位 = 1),且不可更改

支持性能增强模式 ——XIP(就地执行)

具备四外设接口(QPI)

包含均等的 4K 字节扇区,或均等的 32K 字节 / 64K 字节块

任何块均可单独擦除

编程:

256 字节页缓冲器

四输入 / 输出页编程(4PP),以提升编程性能

典型擦除 / 编程周期为 100,000 次

数据保留期为 20 年

3V 256M 位 [x1/x2/x4] CMOS MXSMIO®(串行多 I/O)闪存

软件特性

输入数据格式

1字节命令代码

高级安全特性

块锁定保护

BP0-BP3 和 T/B 状态位定义了可防止编程和擦除指令的区域大小

独立扇区保护功能(完全保护)

额外的 4K 位安全一次性可编程(OTP)区域

具备唯一标识符

工厂可锁定标识,且客户可锁定

命令复位

编程 / 擦除挂起和恢复操作

电子标识

JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID

RES 指令获取 1 字节器件 ID

REMS 指令获取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

软件功能

输入数据格式

-1字节命令代码

高级安全功能

-闭锁保护

BP0-BP3和T/B状态位定义了大小受程序保护的区域擦除指令

-单个扇区保护功能(固态保护)

额外的4K位安全OTP

-具有唯一标识符

-工厂锁定可识别,客户可锁定的

命令重置

编程/擦除暂停和恢复操作

电子身份识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节

设备ID

-1字节设备ID的RES命令

-REMS命令,用于1字节制造商ID和

1字节设备ID

支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式

硬件特性

SCLK 输入

串行时钟输入SI/SIO0

串行数据输入,或在 2 倍 I/O 读取模式和 4 倍 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出SO/SIO1

串行数据输出,或在 2 倍 I/O 读取模式和 4 倍 I/O 读取模式下作为串行数据输入 / 输出SIO2

在 4 倍 I/O 读取模式下作为串行数据输入和输出SIO3

在 4 倍 I/O 读取模式下作为串行数据输入和输出RESET#

硬件复位引脚

封装规格:

- 16-pin SOP (300mil) 

- 8-pins SOP (200mil) 

- 8-land WSON (6x5mm) 

- 8-land WSON (8x6mm 3.4 x 4.3EP)

-所有设备均符合RoHS标准

MX25L25673GM2I40A Serial NOR Flash概述:

MX25L25673G 是一款 256Mb 的串行 NOR 闪存,内部配置为 33,554,432×8 位结构。在双 I/O 或四 I/O 模式下,其结构分别变为 134,217,728 位 ×2 或 67,108,864 位 ×4。

MX25L25673G 具有串行外设接口和软件协议,在单 I/O 模式下可通过简单的 3 线总线进行操作。这三条总线信号分别是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。通过 CS# 输入可启用对器件的串行访问。

在双 I/O 读取模式下,SI 引脚和 SO 引脚分别变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。在四 I/O 读取模式下,SI 引脚和 SO 引脚同样变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于地址 / 虚拟位输入和数据输出。

MX25L25673G MXSMIO®(串行多 I/O)支持对整个芯片进行顺序读取操作。

发出编程 / 擦除命令后,将执行自动编程 / 擦除算法,对指定的页或扇区 / 块位置进行编程 / 擦除并验证。编程命令可按字节、页(256 字节)或字为单位执行。擦除命令可按 4K 字节扇区、32K 字节块、64K 字节块或整个芯片为单位执行。

为方便用户进行接口操作,芯片内置了一个状态寄存器,用于指示芯片状态。可通过发出状态读取命令,借助 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。

先进的安全特性增强了保护和安全功能,更多详情请参考安全特性部分。

当器件不工作且 CS# 为高电平时,它将保持在待机模式。

MX25L25673G 采用旺宏电子(Macronix)专有的存储单元,即使经过 100,000 次编程和擦除循环,仍能可靠地保存存储内容。

MX25L25673GM2I40A引脚图.png


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