MX25L51237GMI00

MX25L51237G 3V, 512M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(台湾旺宏电子)MX25L51237GMI00 Serial NOR Flash芯片特点：

通用

支持串行外围接口——模式0和模式3

单电源操作

-2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作

-支持输入/输出电压，VIO=1.65V至3.6V

536870912 x 1位结构或268435456 x 2位

（双I/O模式）结构或134217728 x 4位（四

I/O模式）结构

协议支持

-单I/O、双I/O和四I/O

从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护

SPI模式的快速读取

-支持所有时钟频率高达104MHz

协议

-支持快速读取、2读、DREAD、4读、QREAD指令

-支持DTR（双倍传输速率）模式

-可配置的虚拟循环数，用于快速读取操作

四外设接口（QPI）可用

相等扇区，每个扇区4K字节，或相等块

每个32K字节或等于64K字节的块每任何块都可以单独擦除编程：

-256字节页面缓冲区

-四输入/输出页面程序（4PP）增强程序性能

典型的100000次擦除/编程周期

20年数据保留

软件功能

输入数据格式

-1字节命令代码

高级安全功能

-闭锁保护

BP0-BP3和T/B状态位定义了

要防止编程和擦除的区域指示

-单个扇区保护功能（固体和密码保护）

3V 512M-BIT[x 1/x 2/x 4]CMOS MXSMIO

（串行多输入/输出）

快闪存储器

额外的4K位安全OTP

-具有唯一标识符

-工厂锁定可识别，客户可锁定

命令重置

编程/擦除暂停和恢复操作

电子身份识别

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备

身份证件

-1字节设备ID的RES命令

-REMS命令，用于1字节制造商ID和

1字节设备ID

支持串行闪存可发现参数

（SFDP）模式

硬件功能

SCLK输入

-串行时钟输入

硅/二氧化硅

-串行数据输入或串行数据输入/输出2

x I/O读取模式和4x I/O读取模式

SO/SIO1

-串行数据输出或串行数据输入/输出

2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式

WP#/SIO2

-4 x I/O读取模式的硬件写保护或串行数据输入/输出

NC/SIO3

-4 x I/O无连接或串行数据输入/输出

读取模式

重置#

-硬件复位引脚

维奥

-输入/输出电源

封装规格

-16-SOP (300mil)

-所有设备均符合RoHS标准

MX25L51237GMI00 Serial NOR Flash芯片概述

MX25L51237G是512Mb位串行NOR闪存，内部配置为67108864 x 8。当它是在两个或四个I/O模式下，该结构变为268435456位x2或134217728位x4。MX25L51237G功能串行外围接口和软件协议，允许在单个I/O中在简单的3线总线上运行模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。串行通过CS#输入启用对设备的访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为地址/虚拟位的SIO0引脚和SIO1引脚输入和数据输出。当它处于四个I/O读取模式时，SI、SO、WP#和NC引脚变为SIO0、SIO1、SIO2、SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输出。

MX25L51237G MXSMIO（串行多I/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行以字节为基础或以字为基础。擦除命令在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行，或整个芯片基础。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能有关更多详细信息，请参阅第节。

当设备未运行且CS#为高时，它将保持待机模式。

MX25L51237G采用Macronix专有的存储单元，即使在100000个编程和擦除周期。