MX25L51245JXDI08

MX25L51245J 3V,512M-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L51245JXDI08 Serial NOR Flash芯片特点：

通用

额外的8K位安全OTP

支持串行外围接口-模式0和

-具有唯一标识符模式3

-工厂锁定可识别，客户锁定-单电源操作能够

-2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程操作-命令重置操作

编程/擦除暂停和恢复操作

536870912 x 1位结构

电子识别

或268435456 x 2位（双I/O模式）结构

-JEDEC 1字节制造商ID和2字节de-

或134217728 x 4位（四I/O模式）结构副ID协议支持

-1字节设备ID的RES命令

-单I/O、双I/O和四I/O

-REMS命令，用于1字节制造商ID和

从-1V到Vcc+1V的100mA锁存保护1字节设备ID

低Vcc写抑制为1.5V至2.5V

支持串行闪存可发现参数

SPI模式的快速读取

（SFDP）模式

支持高达133MHz的时钟频率协议

硬件功能

支持快速读取、2读、DREAD、4读、，

SCLK输入

QREAD指令

串行时钟输入

支持DTR（双倍传输速率）模式

硅/二氧化硅

可配置的虚拟循环数，用于快速读取

-串行数据输入或串行数据输入/输出操作

2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式

支持性能增强模式-XIP SO/SIO1（就地执行）

-串行数据输出或串行数据输入/输出

四外设接口（QPI）可用

用于2x I/O读取模式和4x I/O读取模式

相等的4K字节扇区，或相等的32K块WP#/SIO2

每个字节或64K字节

硬件写保护或串行数据输入/

-任何块都可以单独擦除

4 x I/O读取模式的输出

编程：

重置#/SIO3

-256字节页面缓冲区

-硬件复位引脚或串行数据输入/输出

四输入/输出页面程序（4PP）增强

4 x I/O读取模式

程序性能

重置#

ECC（错误检查和纠正）：防止硬件复位引脚数据存储错误NC/SIO3典型的100000次擦除/编程周期

-4无连接或串行数据输入/输出

20年数据保留

X I/O读取模式

封装规格：

16-pin SOP (300mil)

8-land WSON (8x6mm 3.4 x 4.3EP)

24-Ball BGA (5x5 ball array)

高级安全功能

-所有设备均符合RoHS和Halo标准-

-闭锁保护无基因

MX25L51245JXDI08 Serial NOR Flash芯片概述

MX25L51245J是512Mb位串行NOR闪存，内部配置为67108864 x 8。当它处于两个或四个I/O模式，结构变为268435456位x2或134217728位x4.Mx25L51245J具有一系列外围接口和软件协议，允许在简单3线总线上运行单I/O模式。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。

通过CS#输入启用对设备的串行访问。

当它处于双I/O读取模式时，SI引脚和SO引脚变为SlOo引脚和SlO1引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。当它处于四个I/O读取模式时，SI引脚、SO引脚、WP#和RESET#引脚（8引脚的封装）变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚和SlO3引脚，用于地址/虚拟位输入和数据输出。

MX25L51245J MXSMIO®（串行多IV/O）在整个芯片上提供顺序读取操作。

发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除算法，用于编程/擦除和验证将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页（256）执行在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行擦除命令的基于字节或基于字的擦除命令，或基于整个芯片。

为了给用户提供易于使用的界面，包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令，通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。

高级安全功能增强了保护和安全功能，请参阅安全功能有关更多详细信息，请参阅第节。

当设备未运行且CS#为高时，它将保持待机模式。

MX25L51245J采用Macronix专有的存储单元，即使在100,000的编程和擦除周期。