MX66L1G45J 3V,1G-BIT[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO(SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY
MXIC(旺宏电子)MX66L1G45JZ4108 Serial NOR Flash芯片特点
通用支持串行外围接口-模式0和模式3
单电源操作
2.7至3.6伏用于读取、擦除和编程-操作
1073741824 x1位结构
或536870912 x 2位(双I/O模式)结构
或268435456 x 4位(四I/O模式)结构协议支持
-单I/O、双I/O和四I/O
从1V到Vcc+1V的100mA锁存保护
低Vcc写抑制为1.5V至2.5V
SPI模式的快速读取
支持高达166MHz的时钟频率协议
支持快速读取、2读、DREAD、4读、QREAD指令
支持DTR(双倍传输速率)模式
-可配置的虚拟循环数,用于快速读取操作
支持性能增强模式-XIP(就地执行)
四外设接口(QPI)可用
相等的4K字节扇区,或相等的32K块
每个字节或64K字节
-任何块都可以单独擦除编程:
-256字节页面缓冲区
四输入/输出页面程序(4PP)增强程序性能
ECC(错误检查和纠正):防止
数据存储错误
典型的100000次擦除/编程周期
20年数据保留软件功能
输入数据格式
-1字节命令代码
高级安全功能
-闭锁保护
BPO-BP3和T/B状态位定义了
要防止编程和擦除的区域指示
-先进的扇区保护功能(Solid Protect)
额外的8K位安全OTP
-具有唯一标识符
-工厂锁定可识别,客户锁定-能够命令重置
编程/擦除暂停和恢复操作电子识别
-JEDEC 1字节制造商ID和2字节de-副ID
-1字节设备ID的RES命令
-REMS命令,用于1字节制造商ID和1字节设备ID
支持串行闪存可发现参数
(SFDP)模式硬件功能SCLK输入
-串行时钟输入硅/硅
-串行数据输入或串行数据输入/输出
2 x I/O读取模式和4 x I/O读取方式SO/SIO1
-串行数据输出或串行数据输入/输出
用于2x I/O读取模式和4x I/O读取模式WP#/SIO2
-硬件写保护或串行数据输入/
4 x I/O读取模式的输出
重置#/SIO3
硬件复位引脚或串行数据输入/输出
4 x I/O读取模式重置#
-硬件复位引脚NC/SIO3
4无连接或串行数据输入/输出
X I/O读取模式
封装规格:
-16-pin SOP (300mil)
- 8-land WSON (8x6mm 3.4 x 4.3EP)
-24-Ball BGA(5x5 ball array)
-所有设备均符合RoHS和Halo标准-
MX66L1G45JZ4108串行NOR闪存芯片概述
MX66L1G45J是1Gb位串行NOR闪存,内部配置为134217728 x 8。当它是在两个或四个I/O模式下,该结构变为536870912位x2或268435456位x4。MX66L1G45J功能三个外围接口和软件协议在I/O时在一个简单的3线总线上运行模式。这三个总线信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。串行通过CS#输入启用对设备的访问。
当它处于双I/O读取模式时,SI引脚和SO引脚变为SlOo引脚和SlO1引脚,用于地址/虚拟位输入和数据输出。当它处于四个I/O读取模式时,SI引脚、SO引脚、WP#和RESET#引脚(8引脚的封装)变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚和SIO3引脚,用于地址/虚拟位输入和数据输出。
MX66L1G45J MXSMIO“(串行多I/O)在整个芯片上提供顺序读取操作。
发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法,对将执行指定的页面或扇区/块位置。程序命令按字节或页(256)执行在4K字节扇区、32K字节块或64K字节块上执行擦除命令的基于字节或基于字的擦除命令,或基于整个芯片。
为了给用户提供易于使用的界面,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。状态已读取可以发出命令,通过WIP位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能有关更多详细信息,请参阅第节。
当设备未运行且CS#为高时,它将保持待机模式。
MX66L1G45J采用Macronix专有的存储单元,即使在100000次编程和擦除周期。
