MX25L6473E

MX25L6473E 3V, 64M-BIT [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO® (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

MXIC(旺宏电子)MX25L6473E特性

概述

支持串行外设接口 —— 模式 0 和模式 3

存储结构：67,108,864×1 位（单线 I/O 模式）/ 33,554,432×2 位（双线 I/O 模式）/ 16,777,216×4 位（四线 I/O 模式）

2048 个相等扇区，每扇区 4K 字节

可单独擦除任意扇区

256 个相等块，每块 32K 字节

可单独擦除任意块

128 个相等块，每块 64K 字节

可单独擦除任意块

电源工作范围

读、擦除、编程操作：2.7V～3.6V

抗闩锁保护：-1V～VCC+1V 电压范围内耐受 100mA

QE 位永久固定，QE=1 时启用四线 I/O 模式

性能

高性能

VCC=2.7～3.6V

常规读取：50MHz

快速读取

单线 I/O：104MHz，8 个空周期

双线 I/O：2READ 指令下 86MHz，4 个空周期

四线 I/O：最高 104MHz

四线 I/O 读取可配置空周期数

快速编程时间：每页 0.7ms（典型值），最大 3ms（每页 256 字节）

字节编程时间：12μs（典型值）

连续编程模式（字编程模式下地址自动递增）

快速擦除时间：每扇区 30ms（典型值，4K 字节）；每块 0.25s（典型值，64K 字节）；整片 20s（典型值）

低功耗

读取工作电流：104MHz 时最大 19mA，33MHz 时最大 10mA

编程工作电流：15mA（典型值）

扇区擦除工作电流：10mA（典型值）

待机电流：15μA（典型值）

深度掉电电流：1μA（典型值）

擦写寿命：典型 100,000 次

数据保存时间：20 年

软件特性

输入数据格式

1 字节指令码

高级安全特性

BP0～BP3 块组保护

OTP WPSEL=1 时支持灵活的单块保护

额外 4K 位安全 OTP 区域，用于唯一标识

自动擦除与自动编程算法

自动对指定扇区擦除并校验

内部算法自动计时编程脉冲宽度，完成指定页编程并校验（待编程页需先擦除）

状态寄存器功能

电子识别

JEDEC 标准：1 字节厂商 ID + 2 字节器件 ID

RES 指令：1 字节器件 ID

REMS、REMS2、REMS4 指令：1 字节厂商 ID + 1 字节器件 ID

支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式

硬件特性

SCLK 输入：串行时钟输入

SI/SIO0：串行数据输入；双线 / 四线 I/O 模式下为串行数据输入 / 输出

SO/SIO1：串行数据输出；双线 / 四线 I/O 模式下为串行数据输入 / 输出

SIO2：四线 I/O 模式下串行数据输入 / 输出

SIO3：四线 I/O 模式下串行数据输入 / 输出

MX25L6473E概述

MX25L6473E 是一款 64Mb 位串行闪存，内部组织结构为 8,388,608 × 8 位。在双 I/O 或四 I/O 模式下，其组织结构分别变为 33,554,432 × 2 位 或 16,777,216 × 4 位。

MX25L6473E 具备串行外设接口（SPI）及相应软件协议，在单 I/O 模式下可通过简易三线总线工作：三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）与串行数据输出（SO）。通过片选信号 CS# 输入可使能对器件的串行访问。

MX25L6473E 属于旺宏 MXSMIO®（串行多 I/O）闪存，支持整片连续读取操作及多 I/O 功能。

在双 I/O 或四 I/O 读取模式下，SI 引脚与 SO 引脚分别转为 SIO0 与 SIO1 引脚，用于地址 / 空周期位输入及数据输出。

发出编程 / 擦除指令后，芯片将自动执行编程 / 擦除算法，对指定页、扇区或块区域进行编程 / 擦除并校验。编程操作可按字节、页（256 字节） 或在连续编程模式下按字执行；擦除操作可按 4K 字节扇区、32K/64K 字节块 或整片执行。

为方便用户使用，芯片内置状态寄存器用于指示工作状态。通过读取状态指令，可利用 WIP 位（忙状态位）检测编程或擦除操作是否完成。

当器件未处于工作状态且 CS# 为高电平时，芯片进入待机模式。

MX25L6473E 采用旺宏专利存储单元，在经历 10 万次 编程与擦除周期后，仍可可靠保存存储数据。

相关型号：

MX25L6473EMI-10G*

MX25L6473EM2I-10G

MX25L6473EMBI-10G

MX25L6473EZNI-10G

MX25L6473EBBI-10G