FT25C64A-UNR-T

产品型号：FT25C64A-UNR-T

制造商：FMD(辉芒微)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：64Kbit

电压-电源：1.8V至5.5V

规格封装：UDFN8

说明书：点击下载

其他介绍

FT25C64A-UNR-T电可擦除可编程存储芯片产品简介：

FMD(辉芒微)FT25C64A是65536位串行电可擦除可编程只读存储器，通常称为EEPROM。它们被组织为8192个字，每个字8位（1字节）。这些设备是采用专有的先进CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。这些器件有标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP和8引脚UDFN封装。这通过简单的串行外围接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。HOLD引脚可用于暂停任何串行通信，而无需重置串行序列。当设备如果暂停，其输入上的转换将被忽略。我们的扩展VCC范围（1.8V至5.5V）设备能够广泛的应用领域。

FT25C64A-UTR-B电可擦除可编程存储芯片产品特点：

串行外围接口（SPI）兼容

支持SPI模式0（0,0）和3（1,1）

数据表描述模式0操作

低电压和低功率操作

FT25C64A VCC=1.8V至5.5V

20MHz时钟频率（5V）

允许部分页面写入操作（32字节页面写入模式）

自定时编程周期（最大5ms）

块写保护（保护1/4、1/2或整个阵列）

用于硬件数据保护的写保护引脚

高可靠性：通常可承受1000000次循环