FT8371AQ-RT

产品型号：FT8371AQ-RT

制造商：FMD(辉芒微)

价格：具体面议

温控范围：-40℃至+150℃

用途：同步整流驱动芯片

存储容量：

电压-电源：VCC耐压-0.3V至+7V

规格封装：SOP8

说明书：点击下载

产品介绍

FT8371xQ 规格书电源管理控制芯片充电器/适配器

FMD(辉芒微)FT8371AQ-RT高性能次边同步整流驱动器

特性

支持DCM，QR模式的反激转换器

支持负端或正端应用

集成同步整流MOS管

无需外围元器件(负端应用a)

只需1个VCC电容(正端应用/负端应用b)

典型应用

充电器

其他DCM或QR反激转换器

FT8371CQ-RT描述

FT8371x是一款高性能的次边同步整流芯片，内置同步整流MOS，适用于DCM和QR模式的反激转换器，可大幅提高系统效率。

FT8371x内置的同步整流MOS具有栅电容小，导通电阻小，开关速度快等特性。

FT8371x可以有效减少次边整流的功率损耗，提供高效率的解决方案。FT8371x通过检测MOS管漏源两端电压，可以有效避免因激磁振荡引起的误动作。

应用说明

工作描述

FT8371x是一款次边同步整流控制器，用于DCM和QR模式的反激转换器，可以取代肖特基二极管以提高系

统效率。

欠压锁定

当VCC低于欠压锁定阈值时，内部同步整流MOS关断，次边电流流过MOS的体电阻。VCC到达启动电压后，同步整流开始启动，次边电流开始从同步整流MOS流过。

同步整流工作

如下图所示，FT8371x检测同步整流MOS的漏端电压Vdet，当Vdet低于设定的导通阈值VTHON时，FT8371x驱动同步整流MOS导通，次边电流通路由MOS体电阻转为MOS的沟道；当次边电流不断减小到接近0时，Vdet也相应增大，当Vdet高于设定的关断阈值VTHOFF时，FT837x将关断同步整流MOS。

同步整流最小导通时间

FT8371x内置导通前沿消隐功能，当同步整流MOS导通后，必须持续最小2us的时间。方案设计时必须注意保证次边放电时间超过2.5uS，以确保8371x正常工作。

PCB布线说明

次边大电流通路金属层应尽可能短且粗；同时，应增加Drain端引脚的铺铜面积，以提高芯片散热能力。

FT8371AQ-RT典型应用电路

FT8371AQ-RT订购信息

FT8371AQ-RT管脚图

参数	范围
VCC 耐压	-0.3V 至 + 7V
DRAIN 耐压	-0.3V 至 + 40V
结工作温度范围 (Tj)	-40℃至 + 150℃
存储温度范围 (Tstg)	-55℃至 + 150℃
推荐的工作环境温度范围 (Ta)	-20℃至 + 85℃
管脚焊接温度 (10 秒)	260℃
PN 结至环境的热阻 (θ<sub>JA</sub>) SOP8	150℃/W
HBM ESD Protection	3000V

参数	符号	条件	最小	典型	最大	单位
电源电压
启动电压	Vstart		2	2.4	2.8	V
工作电流	Iop			0.4		mA
同步整流电压检测
同步整流导通阈值	Von_sr			-0.3		V
同步整流关断阈值	Voff_sr			-5		mV
导通延迟	Tdon			70		nS
关断延迟	Tdoff			100		nS
同步整流最小导通时间	Ton_min			1.9		uS
同步整流 MOS 驱动电压			4.2			V
MOSFET
击穿电压	Vbd	Vgs=0V, Ids=0.1mA	40			V
栅阈值电压	Vgs(TH)			1.2		V
导通电阻	Rdson	Vcc=4.5V, Ids=1A (8371AQ)		20		mΩ
导通电阻	Rdson	Vcc=4.5V, Ids=1A (8371BQ)		15		mΩ
导通电阻	Rdson	Vcc=4.5V, Ids=1A (8371CQ)		9		mΩ
Continuous Drain Current 连续电流	Id	8371AQ		7		A
Continuous Drain Current 连续电流	Id	8371BQ		9		A
Continuous Drain Current 连续电流	Id	8371CQ		13		A
Pulsed Drain Current 峰值电流	Idm	8371AQ		30		A
Pulsed Drain Current 峰值电流	Idm	8371BQ		35		A
Pulsed Drain Current 峰值电流	Idm	8371CQ		50		A
漏电流	I leakage	Vgs=0V, Vds=40V			1	uA