FT24C08A-ESR-B

产品型号： FT24C08A-ESR-B

制造商：FMD(辉芒微)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：1024 X 8（8K）

电压-电源：1.7V至5.5V

规格封装：SOP8

说明书：点击下载

其他介绍

FT24C08A-ESR-B芯片介绍：

FMD(辉芒微)FT24C08A是8192位的串行电可擦除可编程只读存储器，通常它们被称为EEPROM。它们被组织为1024个8位（1字节）的字。这些设备是用专有的先进CMOS工艺，适用于低功耗和低电压应用。这些器件可用于标准8引脚双列直插式封装（DIP）、8引脚单列封装（SOP）、8引脚微型单列封装（MSOP）、8引脚薄型单列直插式封装（TSSOP）、8引脚双列直插式封装（DFN）以及5引脚小外形封装-23（SOT-23）/薄型小外形封装-23（TSOT-23）封装。所有读写功能均采用标准的2线串行接口。我们的扩展Vcc工作电压范围为1.7V至5.5V的设备支持广泛的应用领域。

FT24C08A-ESR-B芯片特征：

双线串行EEPROM 8K（8位宽）

低电压和低功耗操作：

FT24C08A：VCC = 1.7V至5.5V，工业温度范围（-40℃至85℃）。

16字节页面写入模式。

允许部分页面写入操作。

内部组织结构：1024 X 8（8K）。

标准2线双向串行接口。

施密特触发器，输入端经过滤波以进行噪声保护。

自定时编程周期（最大5毫秒）。

1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容。

执行写入操作前自动擦除。