一、 按核心技术原理分类（最核心的分类）
这是最根本的分类方式，取决于存储单元的工作原理和断电后数据是否保留。
1. 易失性存储器
特点： 断电后数据丢失。需要持续通电才能保持数据。速度通常很快，用作系统的主内存或高速缓存。
RAM
DRAM：
原理： 利用电容存储电荷来代表数据（0或1）。由于电容会漏电，需要定时“刷新”（Refresh），故称为动态RAM。
特点： 容量大、成本低、速度较快，但功耗相对较高。
主要产品： 电脑的内存条、手机的运行内存。常见的规格有DDR4、DDR5、LPDDR4/5（用于移动设备）等。
SRAM：
原理： 利用晶体管构成的双稳态电路存储数据，无需刷新，故称为静态RAM。
特点： 速度极快（比DRAM快得多），功耗低，但结构复杂、成本高、容量小。
主要应用： CPU内部的高速缓存。
2. 非易失性存储器
特点： 断电后数据永久保存。速度通常慢于RAM，用于长期存储数据和程序。
ROM
传统ROM： 掩膜ROM，出厂时数据固化，完全不可改写。
PROM： 可编程ROM，用户可编程一次。
EPROM： 可擦除可编程ROM，用紫外线照射擦除。
EEPROM：
原理： 电可擦除可编程ROM。可以按字节擦写。
特点： 擦写速度慢，寿命有限（约10万-100万次）。
应用： 存储小量需频繁修改的数据，如BIOS设置、芯片的配置信息。
Flash Memory
原理： EEPROM的改进版本，以“块”为单位进行擦除和编程，大大提高了效率。
NOR Flash：
特点： 支持XIP，即代码可以直接在芯片内执行，读取速度快，但写入和擦除速度慢，容量小，成本高。
应用： 主要用于存储启动代码、固件、操作系统内核等需要直接运行的关键程序。
NAND Flash：
特点： 存储密度高、容量大、成本低、写入和擦除速度快，但不支持XIP，数据以页为单位管理，存在读写延迟。
应用： 所有大容量存储设备的核心。
SLC/MLC/TLC/QLC： 指每个存储单元存储的比特数（1/2/3/4）。SLC最快最耐用但最贵；QLC容量最大最便宜，但速度和寿命相对较低。
产品形态： SSD固态硬盘、U盘、各类存储卡、手机/平板内置存储。
新兴/特殊非易失性存储器
3D XPoint / Optane： 介于DRAM和NAND之间，速度快、延迟低、耐用性极高，但成本高昂。
FRAM / MRAM / RRAM / PCRAM： 下一代存储技术，追求兼有SRAM的速度、DRAM的容量和Flash的非易失性，目前多用于利基市场或嵌入式领域。
二、 按主流应用场景和产品形态分类（更直观的分类）
| 应用层级 | 主要类型 | 产品示例 | 作用 |
| 主内存/运行内存 | DRAM | DDR内存条、LPDDR手机内存 | 临时存放CPU正在处理的数据和程序，速度要求最高。 |
| 高速缓存 | SRAM | CPU内部的一级、二级、三级缓存 | 在CPU和主内存之间缓冲数据，追求极致速度。 |
| 大容量存储 | NAND Flash | SSD固态硬盘、eMMC/UFS、存储卡、U盘 | 长期、海量存储操作系统、应用程序、个人文件等。 |
| 代码存储/启动 | NOR Flash | BIOS芯片、嵌入式设备启动芯片 | 存储并允许CPU直接执行启动代码、固件等关键程序。 |
| 参数/配置存储 | EEPROM | 主板CMOS芯片、传感器校准数据存储 | 存储需要频繁小量修改的系统配置信息。 |
| 显卡内存 | GDDR | GDDR6/GDDR6X显存 | 一种为图形处理优化的高性能DRAM，拥有极高带宽。 |
| 专业/利基市场 | 特殊DRAM、新型非易失存储器等 | 网络设备缓存、汽车电子、工业控制等 | 满足特定领域的可靠性、实时性或耐用性要求。 |
总结
核心分野：易失性（DRAM/SRAM） 和 非易失性（NAND/NOR Flash） 是两条主线。
市场格局：
DRAM 和 NAND Flash 构成了存储芯片市场的绝对主体，技术由三星、SK海力士、美光等少数巨头主导。
NOR Flash、SRAM、EEPROM等属于容量较小但不可或缺的利基市场。
技术趋势：
堆叠与集成：HBM（高带宽内存）、3D NAND通过垂直堆叠提升性能和容量。
存算一体：探索将存储和计算单元融合，以突破“内存墙”瓶颈。
新型非易失存储器：寻找能替代DRAM和NAND的下一代全能型选手。
