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XM25QH256B

XM25QH256B
产品型号:XM25QH256B
制造商:XMC(武汉芯新)
价格:
温控范围:-40℃~+85℃
用途:快闪记忆体
存储容量 :256Mbit
电压-电源:2.3V至3.6V
规格封装:SOP 300mil 16L,WSON 6x8 8L
说明书:点击下载
其他介绍

256Mb SERIAL FLASH MEMORY WITH 166/133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE

XMC(武汉芯新)XM25QU256B特征

行业标准串行接口

-XM25QH256B:256Mbit/s32Mbyte

-XM25QU256B:256Mbit/s32Mbyte

-3或4字节寻址模式

-支持标准SPI、快速、双路、双路

I/O、四路、四路I/O、SPI DTR、双路I/O

DTR、四输入/输出DTR和QPI

-软件和硬件重置

-支持可发现的串行闪存

参数(SFDP)

高性能串行闪存(SPI)

-80MHz正常读取

-高达166Mhz的快速读取:

-166MHz,Vcc=2.7V至3.6V(1)

-电压为2.3V至3.6V时为133MHz

-在Vcc=1.65V至1.95V时为133MHz(2)

-高达80MHz的DTR(双传输速率)

-等效吞吐量为664 Mb/s

-可选择的虚拟循环

-可配置的驱动强度

-支持SPI模式0和3

-最小100K擦除/编程周期

-超过20年的数据保留

灵活高效的内存架构

-具有均匀扇区/块的芯片擦除

擦除(4/32/64千字节)

-程序每页1到256字节

-程序/擦除暂停和恢复

高效读取和编程模式

-低指令开销操作

-连续读取8/16/32/64字节

爆裂包装

-可选爆发长度

-QPI减少指令开销

-自动启动操作

低功耗,宽温度范围

-单电压电源

XM25QH:2.30V至3.60V

XM25QU:1.65V至1.95V

-7.5mA有效读取电流

-10µA待机电流

-1µA深度断电

-温度等级:

工业:-40°C至+85°C

高级安全保护

-软件和硬件写保护

-高级扇区/块保护

-顶部/底部块保护

-电源锁定保护

-4x256字节专用安全区域

带有OTP用户可锁定位

-每个设备的128位唯一ID

(呼叫工厂)

行业标准引脚和封装

-K=SOP 300mil 16L

-X=WSON 6x8 8L

-KGD(呼叫工厂)

注:

1.模式0为166MHz,模式3为133MHz

2.104M

XM25QU256B一般说明

XM25QH256B和XM25QU256B串行闪存提供了一种多功能的存储解决方案在简化的引脚数封装中实现灵活性和性能。XMC的“工业标准串行接口”闪存适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗的系统。设备已访问通过由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)、串行时钟(SCK)组成的4线SPI接口,以及芯片启用(CE#)引脚,也可以配置为用作多I/O(见引脚描述)。

该设备支持双路和四路I/O以及标准、双路输出和四路输出SPI。时钟高达166MHz的频率允许高达664MHz(166MHz x 4)的等效时钟速率,相当于83Mbytes/s的数据吞吐量。XM25Qx系列闪存增加了对DTR(双倍传输速率)的支持在时钟的两侧传输地址和读取数据的命令。这些传输速率可以优于16位并行闪存,允许高效的内存访问以支持XIP(就地执行)操作。

存储器阵列被组织成256字节的可编程页面。此系列支持页面程序在一个命令中编程1到256字节数据的模式。QPI(四外设接口)支持2周期指令,进一步减少指令时间。页面可以以4K字节扇区为一组进行擦除,32K字节块、64K字节块和/或整个芯片。统一的扇区和块架构允许高度的灵活性,使该设备可用于需要可靠数据的各种应用保留。

XM25QH256B相关型号:

XM25QH256BXIQTF

XM25QH256BXIQ

XM25QH256BXIQRF

XM25QH256BXIQ

XM25QH256BKIQUF

XM25QH256BKIQ

XM25QH256BKIQTF

XM25QH256BKIQ

XM25QH256BKIQRF

XM25QH256BKIQ

XM25QH256B引脚图.png

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