XM25EH01D

XM25EH01D 3V 1G-bit SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XMC(武汉芯新)XM25EH01D芯片特征

SpiFlash记忆新家族

–XM25QH01D:1G位/128M字节

–标准SPI：CLK、/CS、SI、SO、/WP、/Hold

–双SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold

–四路SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

–QPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

–SPI/QPI DTR（双倍传输速率）读取

最高性能串行闪存

–166MHz单、双/四SPI快速读取

–108MHz正常读取

–108MHz DTR读取

–可配置的虚拟循环数，用于快速读取

行动

–超过100000个擦除/编程周期

–超过20年的数据保留

高效的“连续读取”和QPI模式

–使用8/16/32/64 ByteWrap进行连续读取

–四外设接口（QPI）减少指令

开销

–允许真正的XIP（就地执行）操作

高性能编程/擦除速度

–页面编程时间：典型值为0.25毫秒

–扇区擦除时间：典型值为25毫秒

–32KB块擦除时间通常为80毫秒

–64KB块擦除时间通常为120毫秒

芯片擦除时间：典型值为50秒

单电源电压

–全电压范围：2.3-3.6V

低功耗

–50μA典型待机电流

– 2 典型的深度断电电流

–18mA典型有源读取电流（80MHz四路输入/输出）

灵活的体系结构

–均匀扇区/块擦除（4K/32K/64K字节）

–每个可编程页面编程1至256字节

–擦除/程序暂停和恢复

高级安全功能

–软件和硬件写保护

–电源锁定和OTP保护

–顶部/底部，补充阵列保护

–每个设备的128位唯一ID

–支持串行闪存可发现参数（SFDP）

签名

–3x2048字节带OTP锁的安全寄存器

–易失性和非易失性状态寄存器位

空间高效包装

– SOP 300mil 16L 

– WSON 6x8 8L 

– TFBGA 6x8 24ball

–联系XMC获取KGD和其他选项

XM25EH01D一般说明

XM25QH01D（1G位）是一种串行接口闪存设备，设计用于单电源运行电源电压为2.3-3.6V，在深度断电时电流消耗低至2µA，程序代码为从闪存中隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。灵活的擦除架构具有页面擦除粒度的设备也是数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。

设备中配置了524288个可编程页面（每个页面256字节），最多可配置256字节一次编程。16组（4KB扇区擦除）、128组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）允许擦除页面。该设备有32768个可擦除扇区和2048个可擦除块。4KB的小扇区为应用程序提供了更大的灵活性需要存储数据和参数。

该设备支持标准串行外围接口（SPI）、双/四I/O SPI以及2块指令循环四外设接口（QPI），包括串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（SI）、I/O 1（SO）、I/O 2（/WP）和I/O3（/HOLD）。它还支持高达166MHz的SPI时钟频率，允许等效时钟运行快速读取双/四输入/输出和QPI时，双输入/输出的速率为332MHz，四输入/输入的速率为664MHz说明。该设备还增加了对DTR（双倍传输速率）指令的支持，这可能会超过标准异步8位和16位并行闪存的传输速率。读取24位地址在仅8个时钟的指令开销下，连续读取模式实现了高效的内存访问，允许真正的XIP（就地执行）操作。

此外，还有一个保持引脚、写保护引脚和带顶部或底部阵列的可编程写保护控制以提供进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID和SFDP寄存器、128位唯一序列号和三个2048字节安全寄存器。