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XM25QU01D

XM25QU01D
产品型号:XM25QU01D
制造商:XMC(武汉芯新)
价格:面议
温控范围:-40°C~+85/105°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :1Gbit
电压-电源:1.65V~2.0V
规格封装:SOP-16 300, TFBGA 6x8 24ball, WSON 6x8 8L, KGD*
说明书:点击下载
其他介绍

1.8V 1G-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XMC(武汉芯新) XM25QU01D芯片特点:

SPI闪存新家族

–XM25QU01D:1G位/128M字节

–标准SPI:CLK、/CS、SI、SO、/WP、/Hold

–双SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold

–四路SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

–QPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3

–SPI/QPI DTR(双倍传输速率)读取最高性能串行闪存

–166MHz单、双/四SPI快速读取

–108MHz正常读取

–133MHz DTR读取

–可配置的虚拟循环数,用于快速读取行动

–超过100000个擦除/编程周期

–超过20年的数据保留高效的“连续读取”和QPI模式

–使用8/16/32/64 ByteWrap进行连续读取

–四外设接口(QPI)减少指令开销

–允许真正的XIP(就地执行)操作高性能编程/擦除速度

–页面编程时间:典型值为0.25毫秒

–扇区擦除时间:典型值为25毫秒

–32KB块擦除时间通常为80毫秒

–64KB块擦除时间通常为120毫秒

芯片擦除时间:典型值为65秒单电源电压

–全电压范围:1.65-2.0V低功耗

–30μA典型待机电流

– 2 典型的深度断电电流

–12mA典型有源读取电流(80MHz四路输入/输出)灵活的体系结构

–均匀扇区/块擦除(4K/32K/64K字节)

–每个可编程页面编程1至256字节

–擦除/程序暂停和恢复

高级安全功能

–软件和硬件写保护

–电源锁定和OTP保护

–顶部/底部,补充阵列保护

–每个设备的128位唯一ID

–支持串行闪存可发现参数(SFDP)签名

–3x2048字节带OTP锁的安全寄存器

–易失性和非易失性状态寄存器位空间高效包装

–SOP 300mil 16L

–WSON 6x8 8L

–TFBGA 6x8 24球

–联系XMC获取KGD和其他选项

XM25QU01D一般说明

XM25QU01D(1G位)是一种串行接口闪存设备,设计用于单电源运行电源电压为1.65-2.0V,在深度断电时电流消耗低至2µA,程序代码为从闪存中隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。灵活的擦除架构具有页面擦除粒度的设备也是数据存储的理想选择,消除了对额外数据的需求存储设备。

设备中配置了524288个可编程页面(每个页面256字节),最多可配置256字节一次编程。16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除)或整个芯片(芯片擦除)允许擦除页面。该设备有16384个可擦除扇区和1024个可擦除块。4KB的小扇区为应用程序提供了更大的灵活性需要存储数据和参数。

该设备支持标准串行外围接口(SPI)、双/四I/O SPI以及2块指令循环四外设接口(QPI),包括串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(SI)、I/O 1(SO)、I/O 2(/WP)和I/O3(/HOLD)。它还支持高达166MHz的SPI时钟频率,允许等效时钟运行快速读取双/四输入/输出和QPI时,双输入/输出的速率为332MHz,四输入/输入的速率为664MHz说明。该设备还增加了对DTR(双倍传输速率)指令的支持,这可能会超过传输速率标准异步8位和16位并行闪存的速率。只需8个字节即可读取24位地址-连续读取模式实现了高效的内存访问,允许真正的XIP(就地执行)操作。

此外,还有一个保持引脚、写保护引脚和顶部或底部的可编程写保护阵列控制,以提供进一步的控制灵活性。此外,该设备支持JEDEC标准制造;

XM25QH01D引脚图.png


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