XM25QW16CJIGT10Q-00000

XM25QW16C 1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XMC(武汉芯新)XM25QW16CJIGT10Q-00000 Interface Flash芯片功能参数型号介绍：

全新 SpiFlash 存储器系列

XM25QW16C：16 兆位（M-bit）/2 兆字节（M-byte）

标准 SPI 接口：时钟（CLK）、片选（/CS）、数据输入（DI）、数据输出（DO）、写保护（/WP）、保持（/Hold）

双 SPI 接口：时钟（CLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、写保护（/WP）、保持（/Hold）

四 SPI 接口：时钟（CLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、输入输出 2（IO2）、输入输出 3（IO3）

四 peripheral 接口（QPI）：时钟（CLK）、片选（/CS）、输入输出 0（IO0）、输入输出 1（IO1）、输入输出 2（IO2）、输入输出 3（IO3）

高性能串行闪存

108MHz 单 SPI、双 SPI / 四 SPI 时钟频率

等效 216MHz/432MHz 的双 SPI / 四 SPI 速率

超过 10 万次擦除 / 编程循环

超过 20 年数据保存期

高效 “连续读取” 与 QPI 模式

支持 8/16/32/64 字节回绕（Wrap）的连续读取

四 peripheral 接口（QPI）减少指令开销

支持真正的片上执行（XIP，execute in place）操作

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒（ms）

扇区擦除时间：典型值 50 毫秒（ms）

32KB 块擦除时间：典型值 150 毫秒（ms）

64KB 块擦除时间：典型值 300 毫秒（ms）

整片擦除时间：典型值 10 秒（s）

宽电源范围与宽温度范围

完整电压范围：1.65-3.6 伏（V）

最大活动读取电流：18 毫安（mA）

最大深度掉电电流：2 微安（μA）

工作温度范围 1：-40°C 至 + 85°C

工作温度范围 2：-40°C 至 + 105°C

带 4KB 扇区的灵活架构

统一扇区 / 块擦除（4KB/32KB/64KB 字节）

每可编程页可编程 1 至 256 字节

支持擦除 / 编程暂停与恢复

高级安全特性

软件与硬件写保护

电源锁定（Power Supply Lock-Down）与一次性可编程（OTP）保护

顶部 / 底部、互补阵列保护

每颗器件配备 64 位唯一标识符（Unique ID）

支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）签名

3 组可 OTP 锁定的 256 字节安全页

易失性与非易失性状态寄存器位

封装形式:

H: SOP 208mil 8L; J: SOP 150mil 8L

W: WSON 5x6 8L; U:USON 2x3 8L

U2: USON 4x3 8L

XM25QW16CJIGT10Q-00000概述

XM25QW16C（16 兆位）串行闪存为空间、引脚及功耗受限的系统提供存储解决方案。25Q 系列的灵活性与性能远超普通串行闪存器件，非常适用于以下场景：向 RAM 进行代码映射、通过双 SPI / 四 SPI 直接执行代码（XIP，片上执行），以及存储语音、文本与数据。该器件采用单电源供电，电压范围为 1.65V 至 3.6V，掉电模式下电流消耗可低至 1 微安（μA）。所有器件均采用节省空间的封装形式。

XM25QW16C 的存储阵列分为 8192 个可编程页面，每个页面容量为 256 字节，单次可编程字节数最多可达 256 字节。页面可按不同分组进行擦除：16 个页面为一组（4KB 扇区擦除）、128 个页面为一组（32KB 块擦除）、256 个页面为一组（64KB 块擦除），也可对整片进行擦除（整片擦除）。相应地，XM25QW16C 包含 512 个可擦除扇区与 32 个可擦除块。4KB 的小容量扇区设计，为需要存储数据与参数的应用提供了更高的灵活性（详见图 1）。

XM25QW16C 支持标准串行外设接口（SPI）、双 / 四 I/O SPI，以及 2 时钟指令周期的四外设接口（QPI）；涉及的引脚包括：串行时钟（Serial Clock）、片选（Chip Select）、串行数据 I/O0（DI，数据输入）、I/O1（DO，数据输出）、I/O2（/WP，写保护）与 I/O3（/HOLD，保持）。该器件支持最高 108MHz 的 SPI 时钟频率，当使用快速读取双 / 四 I/O 及 QPI 指令时，双 I/O 模式等效时钟速率可达 216MHz，四 I/O 模式等效时钟速率可达 432MHz。这些传输速率能够超越标准异步 8 位与 16 位并行闪存。连续读取模式可实现高效的存储器访问，仅需 8 个时钟周期的指令开销即可读取 24 位地址，支持真正的片上执行（XIP）操作。

该器件配备保持引脚（Hold pin）、写保护引脚（Write Protect pin），并支持可编程写保护功能，可对存储阵列的顶部或底部区域进行保护控制，进一步提升了控制灵活性。此外，器件还支持 JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的厂商与器件 ID、SFDP（串行闪存可发现参数）寄存器、一个 64 位唯一序列号，以及三个 256 字节的安全寄存器。