XM25QH16DHIG

XM25QH16DHIG 3V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI/DTR

XMC(武汉芯新)XM25QH16D Interface Flash芯片功能参数型号介绍：

 全新 SpiFlash 闪存系列– XM25QH16D：16 兆位（M-bit）/2 兆字节（M-Byte）– 标准 SPI 接口：时钟（CLK）、片选（/CS）、串行输入（SI）、串行输出（SO）、写保护（/WP）、保持（/Hold）– 双 SPI 接口：时钟（CLK）、片选（/CS）、串行数据 I/O0（IO0）、串行数据 I/O1（IO1）、写保护（/WP）、保持（/Hold）– 四 SPI 接口：时钟（CLK）、片选（/CS）、串行数据 I/O0（IO0）、串行数据 I/O1（IO1）、串行数据 I/O2（IO2）、串行数据 I/O3（IO3）– 四外设接口（QPI）：时钟（CLK）、片选（/CS）、串行数据 I/O0（IO0）、串行数据 I/O1（IO1）、串行数据 I/O2（IO2）、串行数据 I/O3（IO3）– SPI/QPI 双倍传输速率（DTR，Double Transfer Rate）读取功能

高性能串行闪存– 166MHz 速率下支持单 SPI、双 SPI / 四 SPI 快速读取– 108MHz 速率下支持普通读取– 166MHz 速率下支持双倍传输速率（DTR）读取– 可配置快速读取操作的虚拟周期数– 擦除 / 编程周期数超过 10 万次– 数据保留时间超过 20 年

高效 “连续读取” 与 QPI 模式– 连续读取支持 8/16/32/64 字节回绕（Wrap）功能– 四外设接口（QPI）减少指令开销– 支持真正的片上执行（XIP，execute in place）操作

高性能编程 / 擦除速度– 页面编程时间：典型值 0.2 毫秒（ms）– 扇区擦除时间：典型值 25 毫秒（ms）– 32KB 块擦除时间：典型值 50 毫秒（ms）– 64KB 块擦除时间：典型值 90 毫秒（ms）– 芯片擦除时间：典型值 2 秒（seconds）

单电源供电– 完整电压范围：2.3-3.6V

低功耗– 典型待机电流：10 微安（μA）– 典型深度掉电电流：0.2 微安（μA）– 典型主动读取电流（80MHz 四 I/O 模式）：3 毫安（mA）

灵活架构– 统一扇区 / 块擦除（4K/32K/64K 字节）– 每个可编程页面可编程 1 至 256 字节– 擦除 / 编程暂停与恢复功能

先进安全特性– 软件与硬件写保护– 电源锁定与一次性可编程（OTP，One-Time Programmable）保护– 上部 / 下部、互补阵列保护– 每台器件配备 128 位唯一标识符（Unique ID）– 支持串行闪存可发现参数（SFDP，Serial Flash Discoverable Parameters）签名– 3 组 1024 字节安全寄存器，带 OTP 锁定功能– 易失性与非易失性状态寄存器位

封装形式:

H: SOP 208mil 8L; 

J: SOP 150mil 8L; 

U: USON 2×3 8L;

XM25QH16DHIG概述

XM25QW32C（32 兆位）串行闪存为空间、引脚和功耗受限的系统提供存储解决方案。25Q 系列产品具备远超普通串行闪存设备的灵活性与性能，非常适合用于以下场景：将代码映射至 RAM（代码影子技术）、通过双 / 四 SPI 接口直接执行代码（XIP，片上执行），以及存储语音、文本和数据。该器件采用单电源供电，电压范围为 1.65V 至 3.6V，在超深度掉电模式下电流消耗可低至 1 微安（µA）。所有器件均采用节省空间的封装形式。

XM25QW32C 的存储阵列分为 16384 个可编程页面，每个页面容量为 256 字节，单次可编程字节数最多可达 256 字节。页面可按以下分组方式擦除：16 页为一组（4KB 扇区擦除）、128 页为一组（32KB 块擦除）、256 页为一组（64KB 块擦除），也可对整个芯片进行擦除（芯片擦除）。其中，XM25QW32C 分别包含 1024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块。4KB 的小容量扇区设计，为需要存储数据和参数的应用提供了更高的灵活性（详见图 2）。

XM25QW32C 支持标准串行外设接口（SPI）、双 / 四 I/O SPI 接口，以及 2 时钟指令周期的四外设接口（QPI）；接口引脚包括串行时钟（Serial Clock）、片选（Chip Select）、串行数据 I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP，写保护）和 I/O3（/HOLD，保持）。该器件支持最高 108MHz 的 SPI 时钟频率，在使用快速读取双 / 四 I/O 指令及 QPI 指令时，双 I/O 模式下等效时钟频率可达 216MHz，四 I/O 模式下等效时钟频率可达 432MHz。这一传输速率优于标准的异步 8 位和 16 位并行闪存。此外，连续读取模式能实现高效的存储器访问，仅需 8 个时钟周期的指令开销即可读取 24 位地址，支持真正的 XIP（片上执行）操作。

该器件配备保持引脚（Hold pin）、写保护引脚（Write Protect pin），并支持可编程写保护功能，可对存储阵列的上部或下部区域进行控制，进一步提升了控制灵活性。同时，XM25QW32C 还支持 JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准的厂商及器件 ID、SFDP（串行闪存发现参数）寄存器、一个 64 位唯一序列号，以及三个 256 字节的安全寄存器。