MXIC旺宏电子NOR/NAND FLASH-XMC武汉新芯 NOR FLASH-FMD辉芒微EEPROM_第96页

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FT92071BC3
- 制造商：FMD(辉芒微) 电压-电源：74V
- 温控范围：-40°C~+85°C 用途：锂电池管理芯片
- 存储容量：产品价格：具体面议
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FT92051BC3
- 制造商：FMD(辉芒微) 电压-电源：74V
- 温控范围：-40°C~+85°C 用途：电池管理芯片
- 存储容量：产品价格：具体面议
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FTTS5210
- 制造商：FMD(辉芒微) 电压-电源：1.0V~3.3V
- 温控范围：-40℃至125℃ 用途：内存模组配套芯片
- 存储容量：产品价格：具体面议
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FTTS5211
- 制造商：FMD(辉芒微) 电压-电源：1.0V~3.3V
- 温控范围：-40℃至125℃ 用途：内存模组配套芯片
- 存储容量：产品价格：具体面议
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FTTS5110
- 制造商：FMD(辉芒微) 电压-电源：1.0V~3.3V
- 温控范围：-40℃至125℃ 用途：内存模组配套芯片
- 存储容量：产品价格：具体面议
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FTTS5111
- 制造商：FMD(辉芒微) 电压-电源：1.0V~3.3V
- 温控范围：-40℃至125℃ 用途：内存模组配套芯片
- 存储容量：产品价格：具体面议
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M14D1G1664A-1.6BG2S*
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.8V
- 温控范围：0°C to +95°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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M14D1G1664A-1.5BG2S
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.8V
- 温控范围：0°C to +95°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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M14D1G1664A-1.8BG2S
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.8V
- 温控范围：0°C to +95°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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M14D1G1664A-2.5BG2S
- 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：1.8V
- 温控范围：0°C to +95°C 用途：快闪记忆体
- 存储容量：1Gbit 产品价格：具体面议
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