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产品中心
  • PTS4614
    PTS4614
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
    • 温控范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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  • PTN25C03
    PTN25C03
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
    • 温控范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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  • PTQ25C03
    PTQ25C03
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
    • 温控范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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  • PTQ15C03
    PTQ15C03
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
    • 温控范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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  • PT4606
    PT4606
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
    • 温控范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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  • PT4606A
    PT4606A
    • 制造商：HTSEMI(金誉半导体) 电压-电源：
    • 温控范围：-55°C to150 °C 用途： 功率场效应管MOSFET
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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  • F59L2G81KA-25BCG2N
    F59L2G81KA-25BCG2N
    • 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
    • 温控范围：0°C~+70°C 用途： 快闪记忆体
    • 存储容量：2Gbit 产品价格：具体面议
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  • F59L2G81KA-25BG2N
    F59L2G81KA-25BG2N
    • 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
    • 温控范围：0°C~+70°C 用途： 快闪记忆体
    • 存储容量：2Gbit 产品价格：具体面议
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  • F59L2G81KA-25TG2N
    F59L2G81KA-25TG2N
    • 制造商：ESMT(晶豪科技) 电压-电源：2.7V～3.6V
    • 温控范围：0°C~+70°C 用途： 快闪记忆体
    • 存储容量：2Gbit 产品价格：具体面议
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  • LK5801
    LK5801
    • 制造商：LANKERSEMI(兰科) 电压-电源：0V-50V
    • 温控范围：-20°C~+85°C 用途： 达林顿驱动
    • 存储容量： 产品价格：具体面议
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