EN25QH32B-104GIP2C

产品型号：EN25QH32B-104GIP2C

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：32Mbit

电压-电源：2.7V～3.6V

规格封装：8-pin 150mil SOP

说明书：点击下载

产品介绍

EN25QH32B (2C) 32 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25QH32B-104GIP2C SPI NOR Flash芯片型号介绍：

特性

单电源供电

完整工作电压范围：2.7～3.6V

串行接口架构

兼容 SPI：模式 0 与模式 3

32M 位串行闪存

容量：32Mbit / 4096KB / 16384 页

每页可编程容量：256 字节

标准、双通道或四通道 SPI

标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

双通道 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#

四通道 SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

高性能

标准 SPI 时钟频率：104MHz

双通道数据传输时钟频率：104MHz

四通道数据传输时钟频率：104MHz

低功耗

工作电流典型值：5mA

掉电电流典型值：1μA

均匀扇区架构：

1024 个 4KB 扇区

128 个 32KB 块

64 个 64KB 块

任意扇区或块均可独立擦除

软件与硬件写保护：

可通过软件对全部或部分存储区域进行写保护

通过 WP# 引脚使能 / 关闭保护功能

高速编程 / 擦除性能

页编程时间：典型值 0.5ms

扇区擦除时间：典型值 50ms

32KB 块擦除时间：典型值 120ms

64KB 块擦除时间：典型值 150ms

整片擦除时间：典型值 15 秒

3 组可 OTP 锁定的 512 字节安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）标识

支持读取唯一 ID 号

擦写寿命：最少 10 万次

数据保存时间：20 年

封装型号：

G=8-pin 150mil SOP

H = 8-pin 200mil SOP

F =16-pin 300mil SOP

W = 8-pin VDFN (5x6mm)

Q = 8-pin PDIP

XB = 8 contact USON (4x3x0.55mm)

-所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

工业温度范围

易失性状态寄存器位

EN25QH32B-104GIP2C SPI NOR Flash芯片一般说明

本器件为容量 **32 兆位（4096 千字节）** 的串行闪存，具备增强型写保护机制。器件支持标准串行外设接口（SPI），并可通过 SPI 引脚实现高性能双通道 / 四通道输出以及双通道 / 四通道 I/O 功能，相关引脚包括：串行时钟、片选、串行数据 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）及 DQ3（HOLD#）。

器件支持最高104MHz的 SPI 时钟频率；在使用双通道 / 四通道 I/O 快速读取指令时，双通道输出等效时钟频率可达 208MHz（104MHz×2），四通道输出等效时钟频率可达 416MHz（104MHz×4）。可通过页编程指令对存储器执行单次1～256 字节的编程操作。

本器件设计支持单次单扇区 / 单块擦除或整片擦除操作。可将器件配置为软件保护模式，对存储区域的部分空间实施保护。每个扇区或块均可承受至少 10 万次编程 / 擦除周期。

EN25QH32B-104GIP2C引脚封装图