EN35QXR512A (2SC)

产品型号：EN35QXR512A (2SC)

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：8-pin 200mil SOP

IC说明书：点击下载

其他介绍

EN35QXR512A (2SC) 512 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

EN35QXR512A-HIP2S特征

·单电源操作

软件和硬件写保护

全电压范围：2.7-3.6伏

通过写入保护全部或部分内存

串行接口架构

软件

SPI兼容：模式0和模式3

高性能编程/擦除速度

512 M位串行闪存

页面编程时间：典型值为0.5毫秒

512 M位/65536 KB/262144页

扇区擦除时间：典型值为40毫秒

每个可编程页面256字节

半块擦除时间：典型值为200毫秒

块擦除时间：典型值为300毫秒

标准、双路或四路SPI

芯片擦除时间：典型120秒

标准SPI：CLK、CS#、DI、DO

双SPI：CLK、CS#、DQo、DQ、

● 3字节地址和4字节地址开关

四路SPI：CLK、CS#、DQo、DQ、DQz、DQ

易失性状态寄存器位

默认QE=1（四重启用），WP#，HOLD#

可锁定3x512字节OTP安全扇区使伤残可配置的虚拟循环数支持串行闪存可发现参数

（SFDP）签名

高性能

全电压范围读取唯一ID号

单/双/四I/O的104MHz时钟速率

重放保护单调计数器（RPMC）快速读取最低100K续航周期

稳压范围：3-3.6伏

数据保留时间20年

133MHz时钟速率，用于四路I/O快速读取

按特定订购零件有条件供应套餐选项

封装规格：

– 8-pin SOP 200mil body width – 16-pin SOP 300mil body width – 8-contact VDFN / WSON (6x5mm) – 8-contact VDFN / WSON (8x6mm)

2μA典型断电电流

所有无铅封装均符合RoHS标准，

统一扇区架构

无卤素和REACH。

16384个4-KB扇区

工业温度范围

2048个32千字节的块

1024个64千字节的块

任何扇区或块都可以单独擦除

EN35QXR512A (2SC)一般说明

该设备是一个512兆比特（65536K字节）的串行闪存，具有高级写保护机制。这个该设备通过标准串行外设支持单比特和四位串行输入和输出命令接口（SPI）引脚：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）、DQ2（WP#）和DQ3（保持#/重置#）。使用页面编程指令，存储器一次可以编程1到256个字节。

通过提供保护和取消保护块的能力，系统可以取消保护块以修改其内容，同时保持存储器阵列的剩余块受到安全保护。这在以下应用程序中很有用代码在子例程或模块的基础上或在需要数据存储段的应用程序中进行修补或更新在不对程序代码段进行错误修改的情况下进行修改。

该器件设计为一次允许单个扇区/块或全芯片擦除操作。该设备可以是被配置为以软件保护模式保护部分存储器。设备扫描维持至少每个扇区或块上有100K的编程/擦除周期。

EN35QXR512A (2SC).png

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