EN35SY512A-133HIP2P

产品型号：EN35SY512A-133HIP2P

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C to +85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：1.65V - 1.95V

规格封装：SOP8，200mil

说明书：点击下载

产品介绍

EN35SY512A (2P) 512 Megabit 1.8V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN35SY512A-133HIP2P特征

- 单电源供电 —— 全电压范围：1.65~1.95V

- 串行接口架构 —— 兼容 SPI：模式 0 与模式 3

- 512Mbit 串行 Flash

- 512Mbit / 65536KB / 262144 页

- 每页可编程容量 256 字节

- 标准 / 双路 / 四路 SPI

- 标准 SPI：时钟 CLK、片选 CS#、输入 DI、输出 DO、写保护 WP#、保持 HOLD#

- 双路 SPI：时钟 CLK、片选 CS#、DQ0、DQ1、WP#、HOLD#

- 四路 SPI：时钟 CLK、片选 CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

- 高性能

- 全电压区间支持

- 单 / 双 / 四路 I/O 快速读取：104MHz 时钟频率

- 四路 I/O 快速读取：133MHz 时钟频率

- 低功耗

- 典型工作电流：14mA

- 典型掉电电流：2μA

- 统一扇区架构

- 16384 个扇区，每个扇区 4KB

- 2048 个块，每个块 32KB

- 1024 个块，每个块 64KB

- 任意扇区或块可独立擦除

- 软件与硬件写保护

- 可通过软件对全部或部分存储区域设置写保护

- 通过 WP# 引脚开启 / 关闭保护功能

- 高性能编程 / 擦除速度

- 页编程时间：典型值 0.5ms

- 扇区擦除时间：典型值 40ms

- 半块擦除时间：典型值 200ms

- 块擦除时间：典型值 300ms

- 整片擦除时间：典型值 120 秒

- 支持 3 字节地址与 4 字节地址切换

- 易失性状态寄存器位

- 可锁定的 3 组 ×512 字节一次性可编程 (OTP) 安全扇区

- 支持串行 Flash 可识别参数（SFDP）标识

- 支持读取唯一 ID 序列号

- 最低 10 万次擦写循环寿命

- 数据保存时长大于 20 年

- 封装选型

- SOP8，200mil（或 208/209mil）

- VDFN/WSON8 5×6mm

- VDFN/WSON8 6×8mm

- SOP16，300mil

- TFBGA24 6×8mm（5×5-1）

- 所有无铅封装均符合 RoHS、无卤及 REACH 标准

- 工业级温度范围

EN35SY512A-133HIP2P一般说明

该器件为512Mbit（65536KB）串行 Flash 存储器，具备先进的写保护机制。器件通过标准串行外设接口（SPI）引脚支持 1 位及 4 位串行输入输出指令：串行时钟、片选、串行 DQ0（DI）、DQ1（DO）、DQ2（WP#）以及 DQ3（HOLD#/RESET#）。

可使用页编程指令，单次对 1~256 字节进行编程。器件支持对存储块执行保护 / 解除保护操作，系统可对部分存储块解除保护以修改内容，同时保持存储器阵列其余区块处于安全保护状态。

该特性适用于需要基于子程序或模块对程序代码进行补丁 / 升级的应用场景，也可用于需要修改数据存储段，同时避免程序代码段被误改写的场景。

器件支持单次单个扇区 / 块擦除，或整片擦除操作。器件可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。每个扇区或存储块最低可承受 10 万次编程 / 擦除循环。

EN35SY512A-133HIP2P功能框图

EN35SY512A-133HIP2P产品订购信息图

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