VEN25QY256A-133YIP2S

VEN25QY256A (2S) 256 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)VEN25QY256A-133YIP2S nor flash芯片产品介绍：

单电源供电工作

‑ 完整电压范围：2.7‑3.6 伏特

串行接口架构

‑ 兼容 SPI：模式 0 与模式 3

256M‑bit 串行闪存

‑ 256M‑bit / 32768 KB / 131072 页

‑ 每页可编程容量：256 字节

标准、双线或四线 SPI

‑ 标准 SPI：时钟 (CLK)、片选 (CS#)、数据输入 (DI)、数据输出 (DO)、写保护 (WP#)、保持 (HOLD#)

‑ 双线 SPI：时钟 (CLK)、片选 (CS#)、双向数据 0 (DQ0)、双向数据 1 (DQ1)、写保护 (WP#)、保持 (HOLD#)

‑ 四线 SPI：时钟 (CLK)、片选 (CS#)、双向数据 0 (DQ0)、双向数据 1 (DQ1)、双向数据 2 (DQ2)、双向数据 3 (DQ3)

‑ 可配置空周期数

高性能读取

‑ 工作电压 2.7‑3.6V

‑ 四线 I/O 快速读取时钟频率：133 MHz

低功耗

‑ 典型工作电流：7 mA

‑ 典型掉电电流：1 μA

统一扇区架构：

‑ 8192 个扇区，每个扇区 4KB

‑ 1024 个块，每个块 32KB

‑ 512 个块，每个块 64KB

‑ 任意扇区或块均可独立擦除

软件与硬件写保护

‑ 通过软件对全部或部分存储区域开启写保护

‑ 通过 WP# 引脚开启 / 关闭保护功能

高性能编程 / 擦除速度

‑ 页编程时间：典型值 0.5 ms

‑ 扇区擦除时间：典型值 40 ms

‑ 半块擦除时间：典型值 200 ms

‑ 块擦除时间：典型值 300 ms

‑ 整片擦除时间：典型值 120 秒

3 字节地址与 4 字节地址可切换

易失性状态寄存器位

可锁定 3×512 字节一次性可编程 (OTP) 安全扇区

支持串行闪存可识别参数（SFDP）标识

可读取唯一 ID 序列号

最少 10 万次擦写寿命

数据保存时长大于 20 年

封装选型

H = SOP8 200mil (or 208/209 mil)

W=VDFN/WSON8 5x6 mm

F = SOP16 300 mil

Y=VDFN/WSON8 6x8 mm

‑ 所有无铅封装均符合 RoHS、无卤以及 REACH 法规要求。

VEN25QY256A-133YIP2S nor flash一般说明

器件可通过标准串行外设接口（SPI）引脚支持单比特以及四比特串行输入输出指令：串行时钟、片选、串行 DQ0（数据输入 DI）、DQ1（数据输出 DO）、DQ2（写保护 WP#）以及 DQ3（保持 / 复位 HOLD#/RESET#）。使用页编程指令，可一次性对 1‑256 字节的数据进行烧录。

芯片支持对存储块执行解除保护与开启保护操作，因此系统可以在修改指定区块内容的同时，将存储阵列内其余区块保持安全受保护状态。该特性适用于以子程序或模块为单位对程序代码进行补丁修复、版本升级的场景；也可用于需要修改数据存储段，同时规避程序代码段被意外篡改风险的应用场合。

该器件支持单次擦除单个扇区 / 存储块，或是执行整片擦除操作。芯片可配置为软件保护模式，对部分存储区域实施保护。每个扇区或存储块最少可承受10 万次编程 / 擦除循环寿命。