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EN25QX64A-104FIP2C

EN25QX64A-104FIP2C
产品型号:EN25QX64A-104FIP2C
制造商:ESMT(晶豪科技)
价格:具体面议
温控范围:-40°C to +85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :64Mbit
电压-电源:2.7V-3.6V
规格封装:SOP16 300mil
说明书:点击下载
产品介绍

EN25QX64A (2C) 64 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25QX64A-104FIP2C芯片产品介绍:

- 单电源供电工作 — 完整工作电压范围:2.7~3.6V

- 串行接口架构 — 兼容 SPI 模式 0、模式 3

- 64 兆位串行闪存  - 容量:64 兆位 / 8192 千字节 / 32768 个页面

  - 每页可编程容量:256 字节

- 支持标准 SPI、双线 SPI、四线 SPI

  - 标准 SPI:时钟、片选、输入、输出、写保护、保持 / 复位引脚

  - 双线 SPI:时钟、片选、数据 0、数据 1、写保护、保持 / 复位引脚

  - 四线 SPI:时钟、片选、数据 0、数据 1、数据 2、数据 3

- 高性能特性

  - 全电压区间下,单 / 双线 / 四线 IO 最高时钟频率 104MHz

  - 高速读取模式(仅四线 IO):电压区间 3.0~3.6V,时钟频率 133MHz

  - 133MHz 版本为专属料号

- 支持串行闪存可识别参数(SFDP)标准标识

- 低功耗特性

  - 典型工作电流:6 毫安

  - 典型待机电流:1 微安

- 均匀扇区存储架构

  - 2048 个扇区,单扇区 4KB

  - 256 个 32KB 块

  - 128 个 64KB 块

  - 任意扇区、存储块可独立擦除

- 软硬件双重写保护

  - 软件可配置全部 / 部分存储区域写保护

  - 可通过 WP# 引脚开启 / 关闭硬件写保护

- 软件复位 + 硬件复位功能

- 高速编程、擦除性能

  - 页编程典型耗时:0.5 毫秒

  - 扇区擦除典型耗时:40 毫秒

  - 半块擦除典型耗时:200 毫秒

  - 整块擦除典型耗时:300 毫秒

  - 整片芯片擦除典型耗时:30 秒

- 易失性状态寄存器位

- 3 组 512 字节一次性可编程(OTP)加密扇区,支持锁定

- 写操作暂停与恢复功能

- 循环突发读取(支持 8/16/32/64 字节循环长度)

- 空白检测标志位

- 可读取芯片唯一序列号

- 擦写耐久循环:最少 10 万次

- 数据保存寿命:超 20 年

程序包选项

G = 8-pin 150mil SOP 

H = 8-pin 200mil SOP 

F = 16-pin 300mil SOP 

W = 8-contact VDFN / WSON (6x5mm) 

Y = 8-contact VDFN / WSON (8x6mm) 

XB = 8-contact USON (4x3x0.55mm) 

XH = 8-contact USON (4x4x0.45mm)

-所有无铅封装均符合RoHS标准,

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN25QX64A-104FIP2C nor flash一般说明

该器件是一款 64 兆位(8192 千字节)串行闪存,搭载先进写保护机制。

器件通过标准串行外设接口(SPI)引脚,支持单比特与四比特串行读写指令,引脚包含:串行时钟、片选、串行 DQ0(数据输入 DI)、DQ1(数据输出 DO)、DQ2(写保护 WP#)以及 DQ3(保持 / 复位复用引脚 HOLD#/RESET#)。

芯片最高支持 133MHz SPI 时钟;采用四线输出读取指令时,四线并行等效时钟速率可达 532MHz(133MHz×4)。

可通过页编程指令,单次对 1~256 字节数据进行烧录。

本器件配备完善的分区保护方案,可防止存储区块被误操作或恶意编程、擦除。

支持对存储块单独开启 / 关闭写保护,系统可仅解除指定区块保护以修改内容,其余存储区块仍保持安全锁定。

该特性适用于两类场景:一是按子程序、功能模块对程序固件做补丁或升级;二是仅修改数据存储分区,同时规避程序代码分区被误篡改的风险。

器件支持单扇区 / 单存储块独立擦除,也支持整片芯片批量擦除;可配置软件保护模式,对部分存储空间进行锁定防护。

每个扇区、存储块均可承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。

EN25QX64A-104FIP2C产品信息

EN25QX64A-104FIP2C功能框图

引脚链接示意图


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