VEN25QE32A-104WIP2P

VEN25QE32A (2P) 32 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector EFST 

ESMT(晶豪科技)VEN25QE32A-104WIP2P Flash串行闪存芯片特征:

产品特性

单电源供电运行

宽电压范围：2.3V–3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持模式 0 与模式 3

32 兆位串行闪存

存储容量：32 兆位 / 4096 千字节 / 16384 页

可编程页容量：每页 256 字节

标准 / 双路 / 四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入线（DI）、数据输出线（DO）、写保护线（WP#）、保持线（HOLD#）

双路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入 / 输出线 0（DQ0）、数据输入 / 输出线 1（DQ1）、写保护线（WP#）、保持线（HOLD#）

四路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入 / 输出线 0（DQ0）、数据输入 / 输出线 1（DQ1）、数据输入 / 输出线 2（DQ2）、数据输入 / 输出线 3（DQ3）

可配置虚拟周期数

高性能

标准 SPI 模式下时钟频率可达 104 兆赫兹

双数据位模式下时钟频率可达 104 兆赫兹

四数据位模式下时钟频率可达 104 兆赫兹

低功耗

典型工作电流：10 毫安

典型掉电电流：1 微安

统一扇区架构

1024 个扇区，每扇区 4 千字节

128 个块，每块 32 千字节

64 个块，每块 64 千字节

任意扇区或块均可独立擦除

软硬件写保护功能

可通过软件对存储器的全部或部分区域进行写保护

通过 WP# 引脚 启用 / 禁用保护功能

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 1 毫秒

扇区擦除时间：典型值 100 毫秒

半块擦除时间：典型值 300 毫秒

块擦除时间：典型值 500 毫秒

整片擦除时间：典型值 30 秒

支持写暂停与写恢复功能

易失性状态寄存器位

可锁定的 3×1024 字节 一次性可编程（OTP）安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

可读唯一标识码（UID）

最少 10 万次 擦写寿命

数据保存时间 20 年

封装型号：

G = 8-pin 150mil SOP

H = 8-pin 200mil SOP

W = 8-contact VDFN / WSON (6x5 mm)

XF = 8-contact USON (3x2x0.45 mm)

所有无铅封装均符合 RoHS、无卤素及 REACH 标准

工业级工作温度范围

VEN25QE32A-104WIP2P Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QE32A (2P)为一款32Mbit（4096K 字节） 串行闪存，内置高级写保护机制。

VEN25QE32A (2P)支持单比特及四比特串行输入输出指令，可通过标准串行外设接口（SPI）引脚实现通信，具体引脚包括：串行时钟引脚、片选引脚、串行数据引脚 DQ0（数据输入）、DQ1（数据输出）、DQ2（写保护）以及 DQ3（保持）。

借助页编程指令，该存储器可实现单次 1–256 字节的编程操作。

VEN25QE32A (2P)还搭载了一套精密的保护方案，可针对独立区块，防范误操作或恶意的编程、擦除行为。通过对区块进行独立的保护与解除保护设置，系统可仅解锁目标区块以修改其内容，同时确保存储器阵列中其余区块处于安全保护状态。

这一特性在以下应用场景中尤为实用：需基于子程序或模块对程序代码进行补丁修复、版本更新的场景；或是需要修改数据存储段，且需避免程序代码段遭受误修改风险的场景。

VEN25QE32A (2P)支持单次单扇区 / 单区块擦除或整片擦除操作，还可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。

器件的每个扇区或区块，均可承受最少 10 万次编程 / 擦除循环。

连接示意图（俯视图）

框图