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EN25S64A-104HIP2SC

EN25S64A-104HIP2SC
产品型号:EN25S64A-104HIP2SC
制造商:ESMT(晶豪科技)
价格:具体面议
温控范围:-40°C~+85°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :64Mbit
电压-电源:1.65V至1.95V
规格封装:USON/WSON
说明书:点击下载
其他介绍

EN25S64A(2SC) 64 Megabit 1.8V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25S64A-104HIP2SC芯片特征

单电源操作

-全电压范围:1.65-1.95伏

串行接口架构

-SPI兼容:模式0和模式3

64 M位串行闪存

-64兆位/8192千字节/32768页

-每个可编程页面256字节

标准、双路或四路SPI

-标准SPI:CLK、CS#、DI、DO

-双SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1

-四路SPI:CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

-可配置的虚拟循环数

 高性能

-正常读取

-83MHz

-快速阅读

-标准SPI:104MHz,带1个虚拟字节

-双SPI:104MHz,带1个虚拟字节

-四路SPI:104MHz,3个虚拟字节

 写暂停和写简历

 低功耗

-3.5mA典型有功电流

- 1µA典型的断电电流

统一扇区架构:

-2048个4-KB扇区

-256个32K字节的块

-128个64KB的块

-任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护:

-通过写入保护全部或部分内存

软件

-使用WP#引脚启用/禁用保护

(默认WP#禁用)

软件和硬件重置

高性能编程/擦除速度

-页面编程时间:典型0.5ms

-扇区擦除时间:典型值40ms

-典型的半块擦除时间为200ms

-块擦除时间通常为300ms

-芯片擦除时间:典型值为32秒

易失性状态寄存器位。

可锁定的512字节OTP安全扇区

读取唯一ID号

最低100K续航周期

数据保留时间20年

程序包选项

H = 8-pin 200mil SOP 

R = 8-pin 200mil VSOP 

W = 8-pin VDFN (5x6mm) 

Q = 8-pin PDIP 

XB = 8 contact USON (4x3x0.55mm)

2SCE = USON/WSON package without Expose metal pad

-所有无铅封装均符合RoHS标准,

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN25S64A-104HIP2SC芯片一般说明

EN25S64A是一款64兆位(8192K字节)串行闪存,具有高级写保护功能机制。EN25S64A通过以下方式支持单比特和四位串行输入和输出命令标准串行外围接口(SPI)引脚:串行时钟、芯片选择、串行DQ0(DI)和DQ1(DO),DQ2(WP#)和DQ3(保持#/复位#)。使用页面程序说明。

EN25S64A还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意程序和擦除操作。通过提供单独保护和取消保护块的能力系统可以取消对特定块的保护,以修改其内容,同时保留内存的其余块阵列受到安全保护。这在修补或更新程序代码的应用程序中很有用子程序或模块基础,或在需要修改数据存储段而无需修改的应用程序中存在对程序代码段进行错误修改的风险。 

EN25S64A的设计允许一次进行单个扇区/块或全芯片擦除操作。这个EN25S64A可以配置为以软件保护模式保护部分存储器。该设备可以在每个扇区或块上维持至少100K的编程/擦除周期

EN25S64A-104HIP2SC引脚图.png


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