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数字芯片和存储器的结构

数字芯片(通常指逻辑芯片,如CPU、GPU)和存储器芯片(如DRAM、NAND Flash)在结构设计上有着根本性的不同,这源于它们截然不同的核心任务:计算与存储。


数字芯片和存储器的结构


一、 数字芯片(以CPU为例)的结构


数字芯片的核心任务是执行逻辑和算术运算,处理和控制数据流。其结构像一个高度组织化、分工明确的城市。


核心设计思想:在灵活性与性能之间取得平衡。


主要结构单元:


控制单元


作用:芯片的“大脑”和“指挥中心”。负责从内存读取指令,解码指令,并协调所有其他部件的工作。


结构:包含指令寄存器、指令译码器、程序计数器、时序控制逻辑等。


算术逻辑单元


作用:芯片的“计算引擎”。执行所有的数学运算(加、减、乘、除)和逻辑运算(与、或、非、异或)。


结构:由众多逻辑门电路(如加法器、移位器)构成,是数据路径的核心。


寄存器文件


作用:CPU内部超高速、小容量的存储单元。用于暂存当前正在被处理的数据和指令,速度比Cache还快。


结构:一组由触发器构成的存储单元,容量很小(几十到几百字节),但访问延迟极低。


高速缓存


作用:弥补CPU超高速与主内存低速之间的巨大差距。存储CPU近期最可能用到的数据和指令副本。


结构:通常分为三级(L1, L2, L3)。L1最快最小,紧贴核心;L3最大最慢,为多个核心共享。由SRAM(静态随机存储器)构成。


总线接口单元


作用:芯片与外部世界(主要是内存和I/O设备)通信的“港口”。


结构:负责管理地址、数据和控制总线的传输。


核心与多核结构


现代CPU将上述1-4单元复制多份,形成多个独立的处理核心,共享L3缓存和总线接口,以实现并行计算。


结构特点总结:


异构性:包含多种功能迥异的模块(CU, ALU, Cache等)。


复杂互连:模块间通过复杂的分层总线、交叉开关和片上网络连接,数据流和控制流路径复杂。


追求性能:大量晶体管用于提升并行度(流水线、多发射、多核)和减少延迟(多级缓存)。


不规则布局:芯片版图不规则,不同功能模块形状大小各异。


二、 存储器芯片的结构


存储器芯片的核心任务是以高密度、低成本存储大量数据,并能可靠读写。其结构像一个高度规整、重复的仓库。


核心设计思想:在密度、速度和成本之间取得平衡,追求极高的存储单元密度。


主要结构单元(以DRAM为例):


存储单元阵列


作用:数据的物理存放地。这是存储器芯片的绝对主体,占据了95%以上的芯片面积。


结构:由数十亿个完全相同的存储单元按矩阵排列而成。每个DRAM单元由一个晶体管和一个电容组成。电容存储电荷(代表0或1),晶体管作为开关控制访问。


行列地址译码器


作用:根据CPU传来的地址,精准定位到阵列中的某一个(或一行)存储单元。


行译码器:选择“字线”,激活整行单元。


列译码器:选择“位线”,从被激活的行中选出一位或多位数据。


灵敏放大器


作用:存储器芯片的“关键心脏”。电容上的电荷信号极其微弱,SA负责检测并放大位线上的微小电压变化,将其恢复为标准的“0”或“1”数字信号。读取后,SA还负责对电容进行重写,因为DRAM的读取是破坏性的。


读写电路与数据缓冲器


作用:控制数据的输入和输出。


写入时:将外部数据驱动到位线上,对选中的单元电容充电或放电。


读取时:将灵敏放大器读出的数据暂存在缓冲器中,准备输出。


控制逻辑


作用:接收外部命令(如读、写、刷新),并产生内部时序信号,协调译码器、SA、读写电路等协同工作。


结构特点总结:


高度同构与重复:核心是海量重复的、极其微小的存储单元阵列,设计高度规则。


追求密度:每代技术的进步主要目标是缩小单元面积,在同样大小的硅片上塞进更多比特。


外围电路辅助核心阵列:译码器、灵敏放大器等“外围电路”围绕在存储阵列四周,其性能直接决定了存储器的访问速度和功耗。


规则布局:版图布局高度规整,便于设计和制造,利于降低成本。


三、 核心对比表格


特性数字芯片存储器芯片
核心目标灵活计算与控制高密度数据存储
核心单元逻辑门、触发器(构成ALU、寄存器等)1T1C单元(DRAM)、浮栅晶体管(NAND)
结构哲学异构、模块化、复杂互连同构、阵列化、高度重复
晶体管用途主要用于构建逻辑电路主要用于构建存储单元和访问开关
版图形状不规则,模块大小不一高度规整,核心是巨大的矩形阵列
设计挑战时钟同步、功耗管理、指令级并行、互联延迟单元微缩、信号完整性、漏电控制、制程复杂性


四、 一个重要的交集:Cache


有趣的是,在现代数字芯片内部,高速缓存 完美体现了二者的融合:


功能上:它是数字芯片的一部分,用于加速计算。


结构上:它本质上是一块SRAM存储器,同样由存储阵列(6T单元)、译码器、灵敏放大器等典型存储器结构组成。但它追求速度优先于密度,因此采用面积更大、更快的6晶体管单元,而不是DRAM的1T1C单元。


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