8−bit 基于 EEPROM 的 RISC MCU
Program: 6k x 14; RAM: 616 x 8; Data: 128 x 8
8 / 16 / 20 / 24 / 28 引脚
12−bit 高精度 ADC (VADC−REF = 0.5V 时为 10−bit 精度)
5 个定时器, 4 路独立 PWM − 1 路带死区控制
高可靠性的 25 路触摸按键
SPI, I2C, 2x UART
低 Standby, WDT 和工作电流
POR, LVR, LVD – 单输入比较器
可配置源电流和灌电流
高 ESD, 高 EFT
低 VDD工作电压
HIRC 可微调
8−bit CPU (EEPROM)
37 条 RISC 指令: 2T or 4T
16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.7)
多达 28 个引脚
Memory
PROGRAM: 6k x 14 bit (读/写保护)
DATA: 128 x 8 bit (读保护)
RAM: 616 x 8 bit
8 层硬件堆栈
扇区加密
工作条件 (5V, 25°C)
VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR – 5.5 V
(通过 POR 自动调整,0°C 以上 ≤1.7V)
工作温度等级 1
−
40 −
+
125°C
工作温度等级 2
−
40 −
+
105°C
工作温度等级 3
−
40 −
+ 85°C
低 Standby 0.12 μA
WDT 2.0 μA
正常模式 (16 MHz) 254 μA/mips
低功耗模式 (32 kHz) 15 μA
高可靠性
100 万次擦写次数 (typical)
> 20 年 / 85°C 存储 (typical)
ESD > 5 kV EFT > 5.5 kV
ADC (12−bit)
12 bit 分辨率 (11 bit 精度 ≤ 2 MHz ADC 时钟)
26 + 1 通道
VADC−REF
内部: 0.5, 2.0, 3.0, VDD
外部: +
自动阈值比较和中断
PWM (Total 5 路)
支持在 SLEEP 下运行
4 个 PWM 通道 (同周期):独立占空比+极性
1 个通道 (多达 2 个 I/O):互补输出+死区
自动故障刹车 (I/O, LVD, ADC)
单脉冲模式;蜂鸣器模式
Timers
WDT (16−bit): 7−bit 后分频
Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频
Timer1 (12−bit)
Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频和后分频
Timer3 (8−bit)
支持在 SLEEP 下运行
LIRC, 1 or 2x {指令时钟, HIRC, 晶振, EC}
TOUCH
多达 25 个触摸按键
通信接口
SPI, I2C, 2x UART
I/O PORTS (多达 26 个 I/O)
上拉/下拉电阻,开漏
26 个 I/O 源电流: 3, 5 or 18 mA (5V, 25°C)
26 个 I/O 灌电流: 40 or 55 mA (5V, 25°C)
8 个 I/O: 中断/唤醒
电源管理
SLEEP
LVR:2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)
LVD:1.2, 2.0, 2.4, 2.7, 3.0, 3.3, 3.6, 4.0 (V)
(LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能)
统时钟 (SysClk)
HIRC 高速内部振荡器 (可微调)
16MHz <±1% typical (2.5V, 25°C)
1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频
LIRC 低功耗低速内部振荡器
32 kHz 或 256 kHz
EC 外部时钟 (I/O 输入)
LP / XT 晶振输入
双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC)
故障保护时钟监控
其他特性 (欢迎垂询)
ADC 最小分辨率为 0.12mV,精度为
0.24mV,适用于电流检测
13.56MHz 载波
用于锂电池的电压监控
½ VDD LCD 偏
集成开发环境 (IDE)
片上调试 (OCD),ISP,3 个硬件断点
软复位,暂停,单步,跳跃等
封装
SOP8 / 16 / 20 / 24 / 28 TSSOP20 / 24 / 28
QFN20
