FT24C02A-LNG-T

产品型号：FT24C02A-LNG-T

制造商：FMD(辉芒微)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：2Kbits

电压-电源：1.7V 至 5.5V

规格封装：UDFN8

说明书：点击下载

产品介绍

FT24C02A-LNG-T EEPROM芯片产品简介:

FMD(辉芒微)FT24C02A是一款容量为 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器（通常简称为 EEPROM）。其存储结构为 256 个存储单元，每个单元为 8 位（1 字节）。该器件采用专有先进互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制造，适用于低功耗、低电压应用场景。

该器件提供多种标准封装形式，包括 8 引脚双列直插式封装（DIP）、8 引脚小外形封装（SOP）、8 引脚微小型封装（MSOP）、8 引脚薄型小外形封装（TSSOP）、8 引脚超小型扁平无引脚封装（UDFN）以及 5 引脚小外形晶体管封装（SOT-23/TSOT-23）。器件采用标准双线串行接口，用于实现所有读、写功能的地址寻址。此外，我们的器件具有宽供电电压（VCC）范围（1.7V 至 5.5V），可满足各类应用需求。

FT24C02A-LNG-T EEPROM芯片产品特点:

低电压、低功耗工作：

FT24C02A：供电电压（VCC）= 1.7V 至 5.5V，工作温度范围（-40°C 至 85°C）。

FT24C02A-Lxx：具备 3 位器件地址，适用于所有应用场景（若使用 5 引脚封装，需将器件地址 A2、A1、A0 位均设置为 0）。

支持 16 字节页写模式。

允许执行部分页写操作。

内部存储结构：256 × 8（容量为 2K 位）。

采用标准双线双向串行接口。

配备施密特触发器及滤波输入，可实现噪声防护。

自定时编程周期（最大时长为 5ms）。

兼容性：在 2.5-5V 电压下支持 1MHz 速率，在 1.7V 电压下支持 400kHz 速率。

写操作前自动执行擦除操作。