EN25QE32A-104HIP2P

产品型号：EN25QE32A-104HIP2P

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：￥4.5

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：128Mbit

电压-电源：2.7V~3.6V

规格封装：SOP-8-208mil

IC说明书：点击下载

其他介绍

EN25QE32A-104HIP2P芯片产品介绍：

EN25QH128A

128兆位串行闪存，带4K字节统一扇区

SPI NOR FLASH芯片

特征

单电源操作

软件和硬件写保护：

-全电压范围：2.7-3.6伏

-通过写入保护全部或部分内存

·串行接口架构

软件

-SPI兼容：模式0和模式3

-使用WP#引脚启用/禁用保护

128 M位串行闪存

● 高性能编程/擦除速度

－128 M位/16384 K字节/65536页

-页面编程时间：典型值为0.8ms

-每个可编程页面256字节

扇区擦除时间：典型50ms

－32KB块擦除时间典型值100ms

标准、双路或四路SPI

64KB块擦除时间通常为20毫秒

-标准SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#

-芯片擦除时间：典型值为45秒

-双SPI：CLK、CS#、DQo、DQ1、WP#、HOLD#

四路SPI：CLK、CS#、DQo、DQ、DQz、DQ

.写暂停和写简历

高性能

● 可锁定的512字节OTP安全扇区

标准SPI的时钟频率为104MHz

● 支持可发现的串行闪存

两个数据位的104MHz时钟速率

参数（SFDP）签名

-四个数据位的80MHz时钟速率

读取唯一ID号

突发模式

·最低100K续航周期

连续线性爆发

-8/16/32/64/128/256带包裹的线性爆发-

.包装选项

-8针SOP 200mil机身宽度

周围

-8针VSOP 200mil机身宽度

·低功耗

-8触点VDFN（5x6mm）

-12mA典型有功电流

-8触点VDFN（6x8mm）

-1μA典型断电电流

-8针PDIP

·统一扇区架构：

-16针SOP 300mil机身宽度

－4096个4KB扇区

-24球TFBGA（x8mm）

-所有无铅封装均符合RoHS标准，

512个32千字节的块

－256个64千字节的块

无卤素和REACH。

·工业温度范围

-任何扇区或块都可以单独擦除

一般说明

EN25QH128A是a_128兆位（16384千字节）串行闪存，具有增强的写入功能

保护机制。EN25QH128A支持标准串行外围接口（SPI），以及

使用SPI引脚的高性能双/四路输出以及双/四线I/O：串行时钟、芯片

选择串行DQo（DI）、DQ:（DO）、DQ2（WP#）和DQ（HOLD#）。SPI时钟频率高达104MHz

支持双输出208MHz（104MHz x 2）和320MHz的等效时钟速率

使用双/四I/O快速读取指令时，四输出为（80MHz x 4）。内存可以

使用页面编程指令一次编程1到256个字节。

EN25QH128A的设计允许一次进行单个扇区/块或全芯片擦除操作。

EN25QH128A可配置为以软件保护模式保护部分存储器。

该设备可以在每个扇区或块上维持至少10oK的编程/擦除周期。

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EN25QE32A-104HIP2P

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