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M13S128168A-6TG2S

M13S128168A-6TG2S
产品型号:M13S128168A-6TG2S
制造商:ESMT(晶豪科技)
价格:具体面议
温控范围:0°C~+70°C
用途:快闪记忆体
存储容量 :128Mbit
电压-电源:2.5V
规格封装:66 pin TSOPII
说明书:点击下载
产品介绍

M13S128168A (2S) 2M x 16 Bit x 4 Banks Double Data Rate  DDR SDRAM

ESMT(晶豪科技)M13S128168A-6TG2S芯片特征:

双倍数据速率架构,每个时钟周期两次数据传输

双向数据选通(DQS)

差分时钟输入(CLK和时钟)

DLL将DQ和DQS转换与CLK转换对齐

四银行业务

CAS延迟:2, 2.5, 3

突发类型:顺序和交错

爆裂长度:2、4、8

除数据和DM外的所有输入都在系统时钟(CLK)的上升沿采样

数据选通(DQS)两侧的数据I/O转换

DQS与READ的数据边缘对齐;中心与WRITE数据对齐

数据掩码(DM)仅用于写掩码

VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

15.6us刷新间隔

自动和自刷新

2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

最大频率:166MHz (DDR333)

工作环境温度:0°C~+70°C;

存储温度:-55°C~+150°C;

若超过绝对最大额定值,可能会导致器件永久损坏。功能操作应限制在推荐的工作条件范围

内。长时间暴露在高于推荐电压的环境下可能会影响器件可靠性。

封装:66 pin TSOPII;

M13S128168A-6TG2S功能框图


M13S128168A-6TG2S俯视图

M13S128168A-6TG2S引脚说明



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