VEN25QY256A-133HIP2S

VEN25QY256A (2S) 256 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)VEN25QY256A-133HIP2S Flash串行闪存芯片特征:

产品特性

单电源供电工作

电压全范围：2.7~3.6 伏

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持 0 模式和 3 模式

256 兆位串行闪存

总容量：256 兆位 / 32768 千字节 / 131072 页

可编程页规格：每页 256 字节

支持标准、双路、四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线、片选低有效、数据输入、数据输出、写保护低有效、保持低有效

双路 SPI：时钟线、片选低有效、双向数据 0、双向数据 1、写保护低有效、保持低有效

四路 SPI：时钟线、片选低有效、双向数据 0、双向数据 1、双向数据 2、双向数据 3

虚拟周期数可配置

高性能

工作电压适配 2.7~3.6 伏全范围

单 / 双 / 四路输入输出快速读取模式，时钟速率可达 104 兆赫兹

四路输入输出快速读取模式，时钟速率最高可达 133 兆赫兹

低功耗

典型工作电流：7 毫安

典型掉电电流：1 微安

统一扇区架构

8192 个扇区，每扇区 4 千字节

1024 个区块，每区块 32 千字节

512 个区块，每区块 64 千字节

任意扇区或区块均可独立擦除

软硬件写保护

可通过软件对存储器全部或部分区域进行写保护

可通过写保护低有效引脚（WP#）启用 / 解除保护

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.5 毫秒

扇区擦除时间：典型值 40 毫秒

半区块擦除时间：典型值 200 毫秒

区块擦除时间：典型值 300 毫秒

整片擦除时间：典型值 120 秒

支持 3 字节与 4 字节地址模式切换

易失性状态寄存器位

可锁定的 3 个 512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名功能

支持读取唯一标识码

最低 10 万次擦写耐久周期

数据保存时间 20 年

封装型号：

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合有害物质限制、无卤素及化学品注册、评估、授权和限制法规要求

工业级温度范围：-40℃ ~ 85℃

VEN25QY256A-133HIP2S Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QY256A (2S)为一款 256 兆位（32768 千字节）串行闪存，搭载先进的写保护机制。该器件可通过标准串行外设接口（SPI）引脚，支持单比特和四比特串行输入输出指令，涉及引脚包括：串行时钟、片选、串行双向数据 0（数据输入）、双向数据 1（数据输出）、双向数据 2（写保护低有效）以及双向数据 3（保持低有效 / 复位低有效）。通过页编程指令，本器件可实现 1 至 256 字节的单次编程操作。

VEN25QY256A (2S)支持对存储区块进行保护与解除保护操作，借助这一功能，系统可对目标区块解除保护以修改其内容，而存储器阵列中其余的存储区块则始终处于安全保护状态。该特性适用于多种应用场景：例如基于子例程或模块对程序代码进行补丁修复、版本升级的场景，或是需要修改数据存储段，且需避免程序代码段遭受误修改风险的场景。

VEN25QY256A (2S)支持单次单扇区 / 单区块擦除操作，也可执行整片擦除操作，还可配置为软件保护模式，对存储器的部分区域实施保护。器件的每个扇区或区块，均能承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。

连接示意图（俯视图）

框图