VEN25QX64A-104HIAP2C

VEN25QX64A (2C) 64 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector EFST 

ESMT(晶豪科技)VEN25QX64A-104HIAP2C Flash串行闪存芯片特征:

单电源供电运行

电压全范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

兼容 SPI 协议：支持模式 0 与模式 3

64 兆位串行闪存

容量规格：64 兆位 / 8192 千字节 / 32768 页

可编程页容量：每页 256 字节

标准、双路或四路 SPI 模式

标准 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入线（DI）、数据输出线（DO）、写保护线（WP#）、 保持 / 复位线（HOLD#/RESET#）

双路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入 / 输出线 0（DQ0）、数据输入 / 输出线 1（DQ1）、写保护线（WP#）、 保持 / 复位线（HOLD#/RESET#）

四路 SPI：时钟线（CLK）、片选线（CS#）、数据输入 / 输出线 0（DQ0）、数据输入 / 输出线 1（DQ1）、数据输入 / 输出线 2（DQ2）、数据输入 / 输出线 3（DQ3）

高性能特性

支持电压全范围工作

单路 / 双路 / 四路输入输出快速读取模式下，时钟频率可达 104 兆赫兹

稳压工作电压范围：3.3–3.6 伏

四路输入输出快速读取模式下，时钟频率可达 133 兆赫兹

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

低功耗特性

典型工作电流：8 毫安

典型待机电流：1 微安

统一扇区架构

2048 个扇区，每扇区 4 千字节

256 个块，每块 32 千字节

128 个块，每块 64 千字节

任意扇区或块均可独立擦除

软硬件写保护功能

通过软件对全部或部分存储器进行写保护

通过 WP# 引脚启用 / 禁用保护功能

软件与硬件复位功能

高性能编程 / 擦除速度

页编程时间：典型值 0.6 毫秒

扇区擦除时间：典型值 50 毫秒

半块擦除时间：典型值 250 毫秒

块擦除时间：典型值 400 毫秒

整片擦除时间：典型值 50 秒

易失性状态寄存器位

3 个可锁定的 512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

写暂停与恢复功能

支持环绕突发读取（8/16/32/64 字节）

空白检测位

读取唯一标识码（UID）功能

最低 10 万次擦写寿命

数据保存时间长达 20 年

封装型号：

G = 8-pin 150mil SOP

H = 8-pin 200mil SOP

所有无铅封装均符合 RoHS、无卤素 以及 REACH 标准

工作温度范围：-40℃ ~ 105℃

VEN25QX64A-104HIAP2C Flash串行闪存芯片一般说明

VEN25QX64A (2C)为一款 64 兆位（8192 千字节）串行闪存，配备先进的写保护机制。

VEN25QX64A (2C)支持单比特与四比特串行输入输出指令，可通过标准串行外设接口（SPI）引脚实现：串行时钟（Serial Clock）、片选（Chip Select）、串行数据引脚 DQ0（数据输入 DI）、DQ1（数据输出 DO）、DQ2（写保护 WP#）以及 DQ3（保持 / 复位 HOLD#/RESET#）。器件支持高达 104 兆赫兹的 SPI 时钟频率，在使用四输出读取指令时，四输出模式下的等效时钟频率可达 416 兆赫兹（104 兆赫兹 × 4）。通过页编程指令，本存储器可实现单次 1–256 字节的编程操作。

此外，该器件搭载一套精密的保护机制，可针对单个存储块提供防护，避免其遭受误操作或恶意操作导致的编程与擦除风险。借助独立保护与解除保护单个存储块的功能，系统可仅解除目标存储块的保护以修改其内容，同时确保存储器阵列中其余存储块处于安全保护状态。这一特性在以下应用场景中具备显著优势：需基于子程序或模块对程序代码进行补丁修复或更新的场景，以及需修改数据存储段、同时规避程序代码段被误修改风险的场景。

VEN25QX64A (2C)支持单次单扇区 / 单块擦除或整片擦除两种操作模式，且可配置为软件保护模式，对部分存储区域进行保护。器件的每个扇区或存储块，均可承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。

连接示意图（俯视图）

框图