EN25QY256A-133HIP2S

EN25QY256A (2S) 256 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25QY256A-133HIP2S Flash SPI NOR芯片特征：

单电源供电运行

– 完整电压范围：2.7-3.6 伏

串行接口架构

– 兼容 SPI 协议：模式 0 和模式 3

256 兆位串行闪存

– 存储容量换算：256 兆位 / 32,768 千字节 / 131,072 页

– 每页可编程字节数：256 字节

支持标准、双路或四路 SPI 模式

– 标准 SPI：时钟信号（CLK）、片选信号（CS#）、数据输入（DI）、数据输出（DO）、写保护（WP#）、保持（HOLD#）

– 双路 SPI：时钟信号（CLK）、片选信号（CS#）、数据引脚 0（DQ0）、数据引脚 1（DQ1）、写保护（WP#）、保持（HOLD#）

– 四路 SPI：时钟信号（CLK）、片选信号（CS#）、数据引脚 0（DQ0）、数据引脚 1（DQ1）、数据引脚 2（DQ2）、数据引脚 3（DQ3）

– 可配置虚拟周期数

高性能

– 工作电压：2.7-3.6 伏

– 单路 / 双路 / 四路 I/O 快速读取模式下，时钟频率可达 104 兆赫兹

– 四路 I/O 快速读取模式下，时钟频率可达 133 兆赫兹

低功耗

– 典型工作电流：7 毫安

– 典型掉电电流：1 微安

均匀扇区架构：

– 8192 个扇区，每个扇区 4 千字节

– 1024 个块，每个块 32 千字节

– 512 个块，每个块 64 千字节

– 可对任意单个扇区或块进行擦除操作

软硬件写保护功能

– 可通过软件对全部或部分存储区域进行写保护

– 可通过 WP# 引脚启用 / 禁用保护功能

高性能编程 / 擦除速度

– 典型页编程时间：0.5 毫秒

– 典型扇区擦除时间：40 毫秒

– 典型半块擦除时间：200 毫秒

– 典型块擦除时间：300 毫秒

– 典型整片擦除时间：120 秒

支持 3 字节地址与 4 字节地址切换

具备易失性状态寄存器位

含可锁定的 3 组 512 字节一次性可编程（OTP）安全扇区

支持串行闪存可发现参数（SFDP）签名

可读取唯一标识号（Unique ID Number）

最小耐用性周期：10 万次

数据保留时间：20 年

封装选项

H = 8-pin 200 mil SOP

F = 16-pin 300 mil SOP

W = 8-contact VDFN / WSON (6x5 mm)

Y = 8-contact VDFN / WSON (8x6 mm)

– 所有无铅封装均符合 RoHS（有害物质限制）、无卤素及 REACH（化学品注册、评估、授权和限制）标准

工业级温度范围

EN25QY256A-133HIP2S 一般说明

该器件是一款 256 兆位（32,768 千字节）的串行闪存，具备先进的写保护机制。

该器件支持通过标准串行外设接口（SPI）引脚实现单比特和四比特串行输入 / 输出指令，涉及的引脚包括：串行时钟（Serial Clock）、片选（Chip Select）、串行数据引脚 DQ0（DI，数据输入）、DQ1（DO，数据输出）、DQ2（WP#，写保护）以及 DQ3（HOLD#/RESET#，保持 / 复位）。使用页编程指令（Page Program instruction）时，可对该存储器进行单次 1 至 256 字节的编程操作。

通过提供存储块保护与解除保护功能，系统可解除特定存储块的保护以修改其内容，同时确保存储器阵列中其余存储块保持安全保护状态。这一特性在以下应用场景中十分实用：需基于子程序或模块对程序代码进行补丁修复或更新的场景，或是需修改数据存储段、且要避免程序代码段因误操作被修改的场景。

该器件设计支持单次单个扇区 / 块擦除操作，也可执行整片擦除操作。此外，器件可配置为软件保护模式，将部分存储区域设为受保护状态。经设计，该器件的每个扇区或块均可承受至少 10 万次编程 / 擦除循环。