M54D5121632A-2.5BKG

产品型号：M54D5121632A-2.5BKG

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：1.8V / 1.2V

规格封装：134 ball BGA

说明书：点击下载

其他介绍

M54D5121632A 8M x 16 Bit x 4 Banks LPDDR2 SDRAM

ESMT(晶豪科技)M54D5121632A-2.5BKG特征:

JEDEC LPDDR2-S4B合规性

HSUL_12接口（高速非终端逻辑1.2V）

电源：

VDD1=1.7至1.95V

VDD2、VDDCA、VDDQ=1.14至1.3V

4n预取架构

多路复用、双倍数据速率、命令/地址输入；在每个CK边缘输入的命令

每字节数据的双向/差分数据选通（DQS_t/DQS_c）

可编程读取延迟（RL）和写入延迟（WL）

可编程突发长度（BL）：4、8、16

预银行刷新以实现并发操作

部分阵列自刷新（PASR）

内置温度传感器的温度补偿自刷新（TCSR）

深度断电模式（DPD）

可编程驱动器强度（DS）

时钟停止功能

封装：134 Ball BGA；

Max Freq：400MHz

Data Rate (Mb/s/pin)：800

iLPDDR2 SDRAM Addressing.png

1.最低有效列地址C0不在CA总线上传输，并且暗示为零。

2.所有气缸组刷新的tREFI值均在温度规格范围内（TCASE<=85℃）。

3.CA总线上未使用的行和列地址值为“不在乎”。

M54D5121632A-2.5BKG功能框图.png

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