EN25QA128A(2T)

产品型号：EN25QA128A(2T)

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：128Mbit

电压-电源：2.7V-3.6V

规格封装：H = 8-pin 200mil SOP BB = 24-ball TFBGA (6 x 8 x 1.2mm)

说明书：点击下载

其他介绍

EN25QA128A(2T) 128 Megabit 3V Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector

ESMT(晶豪科技)EN25QA128A(2T)芯片特征

单电源操作

-全电压范围：2.7V-3.6V

串行接口架构

-SPI兼容：模式0和模式3

128 M位串行闪存

-128兆位/16384千字节/665535页

-每个可编程页面256字节

标准、双路或四路SPI

-标准SPI：CLK、CS#、DI、DO

-双SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1

-四路SPI：CLK、CS#、DQ0、DQ1、DQ2、DQ3

-可配置的虚拟循环数

高性能

-正常读取

-83MHz

-快速读取（单数据速率模式）

-标准SPI:104MHz，带1个虚拟字节

-双SPI：104MHz，带1个虚拟字节

-四路SPI：104MHz，3个虚拟字节

支持可发现的串行闪存

参数（SFDP）签名

低功耗

-5mA典型有功电流

- 1µA典型的断电电流

统一扇区架构：

-4096个4-KB扇区

-512个32千字节的块

-256个64KB的块

-任何扇区或块都可以单独擦除

软件和硬件写保护：

-通过写入保护全部或部分内存软件

-PPB=1时的永久保护

软件和硬件重置

高性能编程/擦除速度

-页面编程时间：典型0.5ms

-扇区擦除时间：典型值40ms

-典型的半块擦除时间为200ms

-块擦除时间通常为300ms

-芯片擦除时间：典型60秒

易失性状态寄存器位。

可锁定的512字节OTP安全扇区

读取唯一ID号

最低100K续航周期

数据保留时间20年

程序包选项

H = 8-pin 200mil SOP

BB = 24-ball TFBGA (6 x 8 x 1.2mm)

-所有无铅封装均符合RoHS标准，

无卤素和REACH。

工业温度范围

EN25QA128A(2T)芯片一般说明

EN25QA128A（2T）是一款128兆位（16384K字节）串行闪存，具有高级写入功能保护机制。EN25QA128A（2T）支持单比特和四位串行输入通过标准串行外围接口（SPI）引脚输出命令：串行时钟、芯片选择、串行DQ0（DI）和DQ1（DO）、DQ2（NC）和DQ3（NC）。支持高达104Mhz的SPI时钟频率在使用四路输出时，允许四路输出的等效时钟速率为416Mhz（104Mhz x 4）阅读说明。使用页面程序，可以一次对存储器进行1到256个字节的编程指令。

EN25QA128A（2T）还提供了一种复杂的方法来保护单个块免受错误或恶意的程序和擦除操作。通过提供单独保护和取消保护块，系统可以取消保护特定块以修改其内容，同时保留存储器阵列的剩余块受到安全保护。这在以下应用程序中很有用代码在子程序或模块的基础上或在数据存储的应用程序中进行修补或更新需要修改段，而不存在对程序代码进行错误修改的风险部分。

EN25QA128A（2T）的设计允许一次进行单个扇区/块擦除或全芯片擦除操作。EN25QA128A（2T）可配置为作为软件保护部分内存保护模式。该设备可以在每个扇区上维持至少100K的编程/擦除周期，或者块。

产品型号：EN25QA128A-104HIP2T、EN25QA128A-104BBIP2T

EN25QA128A(2T)引脚图.png