FT60F121-RB

FT60F121-RB主要特性

8−bit 基于 EEPROM 的 RISC MCU

Program: 2k x 14; RAM: 128 x 8; Data: 256x 8

6 / 8 / 10 / 14 / 16 引脚

3 个定时器, 3 路独立 PWM − 1 路带死区控制

低 Standby, WDT 和工作电流

POR, LVR, LVD – 单输入比较器

可配置源电流和灌电流

高 ESD, 高 EFT

低 VDD工作电压

HIRC 可微调

8−bit CPU (EEPROM)

 37 条 RISC 指令: 2T or 4T

 16 MHz / 2T (VDD ≥ 2.5)

 多达 16 个引脚

Memory

 PROGRAM: 2k x 14 bit (读/写保护)

 DATA: 256 x 8 bit

 RAM: 128 x 8 bit

 8 层硬件堆栈

 用户密匙：Hex 加密

工作条件 (5V, 25°C)

 VDD (VPOR ≤ 1.9V) VPOR − 5.5 V

(通过 POR 自动调整，0°C 以上 ≤1.7V)

 工作温度等级 1

−40 −+125 °C

工作温度等级 2

−40 −+105 °C

 工作温度等级 3

−40 −+85 °C

 低 Standby 0.2 μA

 WDT 2.3 μA

 正常模式 (16 MHz) 132 μA/mips

高可靠性

 100 万次擦写次数 (typical)

 > 20 年 / 85°C 存储 (typical)

 ESD > 4 kV

 EFT > 5.5 kV

PWM (Total 3)

 支持在 SLEEP 下运行

 共 3 个通道 (相同周期) ：

 独立：占空比，极性

 1 个通道 (多达 6 个 I/O)：

 互补输出+死区

 自动故障刹车 (I/O, LVD)

 XOR, XNOR 第 2 功能

 单脉冲模式；蜂鸣器模式

Timers

 WDT (16−bit): 7−bit 后分频

 Timer0 (8−bit): 8−bit 预分频

 Timer2 (16−bit): 4−bit 预分频和后分频

 支持在 SLEEP 下运行

 LIRC, 1 or 2x {指令时钟, HIRC, 晶振}, 2x 

EC

I/O PORTS (多达 14 个 I/O)

 上拉/下拉电阻

 14 个 I/O 源电流: 4, 8 or 32mA (5V, 25°C) 

 14 个 I/O 漏电流: 56 or 79 mA (5V, 25°C)

 8 个 I/O: 中断/唤醒

电源管理

 SLEEP

 LVR: 2.0, 2.2, 2.5, 2.8, 3.1, 3.6, 4.1 (V)

 LVD: 2.0, 2.4, 2.8, 3.0, 3.6, 4.0 (V)

(LVD 可用作极性可选的单输入比较器功能)

系统时钟 (SysClk)

 HIRC 高速内部振荡器

 16MHz <±1.5% typical (2.5V, 25°C)

 可微调

 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 分频

 LIRC 低功耗低速内部振荡器

 32 kHz 或 256 kHz

 EC 外部时钟 (I/O 输入)

 LP / XT 晶振输入

 双速时钟启动 (HIRC 或 LIRC)

 故障保护时钟监控

其他特性 (欢迎垂询)

 ½ VDD LCD 偏置

集成开发环境 (IDE)

 片上调试 (OCD)，ISP

 3 个硬件断点

 软复位，暂停，单步，运行等

封装

 SOT23-6 SOP8 MSOP10

SOP14 SOP16