FTM32F030B044CT电机控制芯片产品特点:
有感或无感、方波或FOC的集成SOC
集成了MCU、LDO和高压预驱
1.1. MCU 特性
内核
32 位 Cortex M0,最高工作频率 96 MHz
单指令周期32 位硬件乘法器
32 个中断向量的 NVIC,4 种优先级
支持 SWD接口调试,2个观察点以及4个
硬件断点
存储器
128KB闪存,用于放在程序代码和数据
12KB闪存 ,用于存放启动代 码(bootloader)
24KB SRAM
电源模块
数字及GPIO 供电:VoD= 2.0 V - 5.5 V
模拟供电:VpDA = VpD
上电复位及掉电复位(POR/PDR)
可编程的电压检测模块(PVD)
低功耗模式:睡眠/停止/待机
低功耗电流 @ 3.3V:
待机模式:1.4 pA
时钟管理
支持 4 MHz- 32MHz 晶体
支持 32 kHz 低频晶体,支持硬件校准
内置40 kHz 低频振荡器
内置 14 MHz 中频振荡器
内置 48 MHz高频振荡器,支持硬件校准
可编程 PLL,最高可倍频到 96 MHz
外设
55个高速 I/O
可映射到外部中断向量
PA8~PA10,PA13~PA15,PBO~PB1,
PB3~PB7 支持 LED 驱动
所有 I/O 支持 1/2Vpb偏置
5 通道的可编程DMA控制器
可编程多项式的CRC 模块
32/16 位硬件除法器
32/16 带符号除法
支持除零检测中断
10 个总线周期完成一次运算
1Msps 12 位 ADC
16个外部通道
内部通道
温度传感器(Vrs)
内部电压基准(VREFINT)
2 个运算放大电路(Vop)
2个采样保持电路(VIosh)
转换电压范围:0-VREF+
3 个内部参考: 0.625 V, 1.5 V, 2.5 V
7位DAC
输出至 PA4,PA5,可配置
3个高速比较器
7 位 DAC 与反相端相连,可配置
2个运算放大器
运放输出可作为ADC 输入
实时时钟和日历RTC模块
支持入侵检测,闹钟与周期唤醒
10个定时器
TIM1, 16-bit, 4 路 PWM, 支持 3 对互补
TIM3, 16-bit,4 路 PWM
TIM14, 16-bit,1路 PWM
TIM15,16-bit, 2 路 PWM, 支持 1 对互补
TIM16/TIM17,16-bit 1 路 PWM, 支持1
对互补
TIM6, 16-bit,基本定时器
2个看门狗:WWDG 与IWDG
1个24 位的系统定时器
3个前沿消隐计数器和4个滤波器
多达 14 个 PWM 消隐触发源和 4 个IO
消隐触发源
1个10 滤波器和3个比较器滤波器
通信接口
2个I2C,其中 I2C1 支持FM+和 SMBus
2 个 USART,支持同步 SPI 模式以及
Modem控制,自动波特率检测
2个 SPI,支持 4到 16bit 的位帧
96 位芯片唯一ID
注:所有功能并非在所有器件上均可用,可用性取
决于封装;
1.12栅极驱动特性:
内置模块
3PMOS + 3NMOS
5 V / 50 mA LDO
特性:
Vм电压范围:8.0-40.0V
兼容 3.3/5/ 15 V 输入逻辑
驱动三相P+N 独立半桥
驱动电流:+300 /-60 mA (typical)
输出栅极电压:10V
集成死区时间:50 ns
(typical)
集成过温保护功能
FTM32F030B044CT电机控制芯片产品描述:
FTM32F030B044xx 使用高性能的 ARM®Cortex®-M0 32 位的 RISC 内核,最高工作频率为 96 MHz,内置高速存储器(高达 128K 字节的闪存和 24K 字节的 SRAM)和丰富的增强型 I/O 端口,集成了三个独立 PMOS
和三个独立 NMOS 栅极驱动和输出为 5.0 V, 50 mA 的 LDO,针对于三相电机中低速小功率的应用,可在高达 24 V 电压下工作。芯片包括标准的通信接口(2 个 I2C 接口、2 个 SPI 接口、2 个 USART 接口)、1 个 12
位 ADC 和 7 个通用 16 位计数器和 1 个高级控制 PWM 计数器,可用性取决于封装。
FTM32F030B044xx 工作于-40 °C – 105 °C 温度范围,MCU 供电电压 VDD 为 2.0 V 至 5.5 V,VM 为 8.0 V 至40.0 V。一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。
这些特点使得 FTM32F030B044xx 适用于三相永磁无刷电机、电动工具等应用。


