M52D5123216A

产品型号：M52D5123216A

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：0°C to +95°C

用途：快闪记忆体

存储容量：512Mbit

电压-电源：1.8V

规格封装：90 ball BGA

M52D5123216A 4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

ESMT(晶豪科技)M52D5123216A特征：

1.8V电源

LVCMOS兼容多路复用地址

Four banks operation

带地址键程序的MRS循环

-CAS延迟（2，3）

-连拍长度（1、2、4、8和整页）

-突发类型（顺序和交错）

带地址的EMRS循环

所有输入均在正向边缘处采样

系统时钟

特殊功能支持

-PASR（部分阵列自刷新）

-TCSR（温度补偿自刷新）

-DS（驾驶员力量）

-深度断电（DPD）模式

DQM用于遮蔽

自动和自刷新

64ms刷新周期（8K周期）

产品系列：M52D5123216A-5BG、M52D5123216A-6BG、M52D5123216A-7BG

M52D5123216A一般说明

M52D5123216A是536870912位同步高数据速率动态RAM，按以下方式组织为4 x 4194304个字32比特。同步设计允许使用系统时钟进行精确的周期控制每个时钟周期。工作频率范围、可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备可用于各种高带宽、高性能存储系统应用。

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