M12L16161A-7TG2R

产品型号：M12L16161A-7TG2R

制造商：ESMT(晶豪科技)

价格：具体面议

温控范围：-40°C~+85°C

用途：快闪记忆体

存储容量：16Mbit

电压-电源：3.3V

规格封装：TSOP(II)

M12L16161A (2R) SDRAM 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

M12L16161A-7TG2R SDRAM DRAM特征

JEDEC标准3.3V电源

LVTTL兼容多路复用地址

双银行操作

带地址键程序的MRS循环

-CAS延迟（2和3）

-连拍长度（1、2、4、8和整页）

-突发类型（顺序和交错）

所有输入均在正向边缘处采样

系统时钟

突发读取单比特写入操作

DQM用于掩蔽

自动和自刷新

32ms刷新周期（2K周期）

M12L16161A-7TG2R DRAM SDRAM一般说明

M12L16161A是16777216位同步高数据速率动态RAM组织为2 x 524288个字乘16位，采用高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用精确的循环控制系统时钟I/O事务可以在每个时钟上进行循环。工作频率范围，可编程突发长度和可编程延迟允许同一设备适用于各种高带宽、高性能存储系统应用程序

M12L16161A-7TG2R引脚图.png