以下是EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）芯片的典型原理图设计及核心模块解析，适用于常见型号（如24C系列、AT24Cxx等）：
VCC/GND
典型电压范围：1.8V~5.5V（依型号而定）
关键设计：需在VCC与GND之间并联 0.1μF去耦电容，抑制高频噪声。
SDA（串行数据线）
需通过 4.7kΩ上拉电阻 连接至VCC，确保总线空闲时为高电平。
SCL（串行时钟线）
同样需4.7kΩ上拉电阻，时钟频率通常支持100kHz（标准模式）或400kHz（快速模式）。
通过接地（GND）或接VCC设置芯片I²C地址：
7位地址 = 1010(A2)(A1)(A0)
示例：若A2/A1/A0均接地，地址为 0x50（写入）或 0x51（读取）。
设计注意：多片EEPROM并联时，需通过不同地址引脚配置区分设备。
WP接GND：允许读写操作（默认模式）
WP接VCC：禁止写入，仅允许读取（数据保护模式）
上拉电阻选择
阻值范围：1kΩ~10kΩ（根据总线负载调整）
高速模式（>400kHz）建议使用更低阻值（如2.2kΩ）
多设备级联
EEPROM1: A0=GND, A1=GND, A2=GND → 地址0x50
EEPROM2: A0=VCC, A1=GND, A2=GND → 地址0x52
PCB布局
SDA/SCL走线尽量短，避免平行走线以减少串扰
地平面完整，降低电磁干扰（EMI）
ESD防护
在SDA/SCL线上添加TVS二极管（如SMAJ5.0A），防止静电损坏
与MCU连接（以STM32为例）：
代码操作：通过I²C协议发送设备地址+读写命令，控制页写入/字节读取。
EEPROM原理图设计需重点关注 接口匹配、地址配置 和 信号完整性。通过合理配置上拉电阻、地址引脚和写保护功能，可实现稳定可靠的非易失性数据存储。对于高可靠性场景，建议增加硬件写保护开关或软件防误写机制。
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