闪存是一种非易失性半导体存储器，其核心特性为 断电后数据不丢失 且支持 多次擦写。凭借体积小、功耗低、抗物理冲击性强等优势，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
典型应用场景：
USB闪存盘、SD卡、固态硬盘（SSD）
嵌入式设备固件存储（如路由器、打印机）
车载系统程序存储
闪存由 存储单元（Memory Cell） 及互联的 字线（Word Line）、位线（Bit Line）、源极线（Source Line） 构成，根据单元连接方式分为两类：
结构特点：存储单元 串联连接，共享源极线与位线
优势：
布线简单，集成度高，容量大（可达TB级）
单位比特成本低
劣势：仅支持 顺序访问，随机读取效率低
应用场景：大容量数据存储（SSD、SD卡、U盘）
结构特点：位线 独立连接 每个存储单元
优势：
支持 随机访问，读取速度快
可直接执行代码（XIP, Execute In Place）
劣势：布线复杂，容量较小（通常≤2GB），成本较高
应用场景：嵌入式系统固件存储（车载设备、工业控制器）
闪存单元的核心是一个 浮栅MOS晶体管，其结构由下至上依次为：
P型衬底：基板材料
N+源极（Source）与漏极（Drain）：形成导电沟道
隧道氧化层（Tunnel Oxide）：厚度仅数纳米，允许量子隧穿效应
浮置栅极（Floating Gate, FG）：存储电荷的绝缘层
控制氧化层（Control Oxide）：绝缘介质
控制栅极（Control Gate, CG）：外部控制电极
数据存储原理：
写入 "0"：
控制栅极（CG）施加 高压正电压（如15-20V），漏极（Drain）接正电压
沟道电子通过 热电子注入（CHE） 进入浮栅
擦除 "1"：
源极（Source）接正电压，控制栅极（CG）接 负电压
浮栅电子通过 福勒-诺德海姆隧穿（FN Tunneling） 释放
控制栅极施加 中等电压（如3-5V）
检测源漏极间电流：
电流大 → 浮栅无电荷（"1"）
电流小 → 浮栅有电荷（"0"）
| 特性 | NAND Flash | NOR Flash |
|---|---|---|
| 容量 | 高（GB~TB） | 低（MB~GB） |
| 读取速度 | 顺序读取快，随机读取慢 | 随机读取快，支持XIP |
| 写入/擦除速度 | 快（块操作） | 慢（字节/字操作） |
| 功耗 | 工作功耗高，待机功耗低 | 工作功耗低，待机功耗较高 |
| 成本 | 每比特成本低 | 每比特成本高 |
| 接口复杂度 | 简单（SPI/ONFI） | 复杂（并行/SPI） |
| 典型应用 | 大容量数据存储 | 代码存储与直接执行 |
结构化呈现：使用分级标题、表格和列表提升信息可读性。
技术细节补充：明确写入/擦除的物理机制（如CHE与FN隧穿）。
应用场景扩展：强调NAND与NOR的适用领域差异。
术语统一：规范专业术语（如“XIP”“阈值电压”）。
对比表格优化：突出关键差异，便于快速理解。
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